Measurement and Analysis of Gate Finger Number Dependence of Input Resistance for Sub-micron MOSFETs

Measurement and Analysis of Gate Finger Number Dependence of Input Resistance for Sub-micron MOSFETs
Measurement and Analysis of Gate Finger Number Dependence of Input Resistance for Sub-micron MOSFETs

ㆍ 저자명: 안자현,이성현,Ahn. Jahyun,Lee. Seonghearn
ㆍ 간행물명: Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
ㆍ 권/호정보: 2014년|51권 12호|pp.59-65 (7 pages)
ㆍ 발행정보: 대한전자공학회
ㆍ 파일정보: 정기간행물|ENG|
PDF텍스트
ㆍ 주제분야: 기타

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서지반출

영문초록

다양한 게이트 핑거 수(Nf)의 MOSFET에 대한 두 종류의 입력 저항이 $S_{11}$-parameter와 $Z_{11}$-parameter으로부터 변환 되어 저주파 영역에서 측정되었다. 본 연구에서 사용된 $Nf{leq}64$의 범위에서 $S_{11}$-parameter로부터 추출된 1/Nf 종속 입력저항은 $Z_{11}$-parameter로부터 추출된 입력 저항보다 훨씬 낮은 값을 보여주며, 이러한 1/Nf 종속성은 MOSFET의 등가회로로부터 유도된 Nf 종속 비선형 방정식으로부터 이론적으로 증명하였다.

기타언어초록

Two input resistances converted from $S_{11}$-parameter and $Z_{11}$-parameter of MOSFETs with various gate finger numbers Nf were measured in low frequency region. The 1/Nf dependent input resistance from $S_{11}$-parameter exhibits much lower values than that from $Z_{11}$-parameter in the range of $Nf{leq}64$. This 1/Nf dependence was theoretically verified by using Nf dependent nonlinear equation derived from a MOSFET equivalent circuit.

키워드

MOSFET input resistance S-parameter Z-parameter gate finger number

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