본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) die를 이용하여 Ku-대역 전력 증폭기 설계, 제작 그리고 실험 결과에 대해 기술하였다. 저비용으로 Ku-대역 전력 증폭기를 설계하기 위하여 고가의 알루미나 회로 기판 제작 대신 PCB(Printed Circuit Board)를 이용하여 입/출력단 정합 회로를 이용하였다. 측정 결과로는 펄스 모드로 동작시켰을 때 14.8 GHz에서 42.6 dBm의 출력 전력, 37.7 % 드레인 효율 그리고 7.9 dB의 선형 이득을 얻었다. CW(Continuous Wave) 실험 결과로는 39.8 dBm의 출력 전력, 24.1 %의 드레인 효율 그리고 7.2 dB의 선형 이득을 얻을 수 있었다.
This paper presents a design and fabrication of Ku-band power amplifier using Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) die. In order to fabricate the low-cost Ku-band power amplifier, a Printed Circuit Board(PCB) was used for input/output matching circuits instead of manufacturing process to use an expensive substrate. The measured output power is 42.6 dBm, the drain efficiency is 37.7 % and the linear gain is 7.9 dB under pulse operation at the frequency of 14.8 GHz. Under the continuous wave(CW) test, the output power is 39.8 dBm, the drain efficiency is 24.1 % and the linear gain is 7.2 dB.
