본 논문에서는 위성 통신 시스템 응용을 위하여 Ku 대역에서 동작 가능한 2W MMIC (monolithic microwave integrated circuit) 전력증폭기를 개발하였다. 2W MMIC 전력증폭기는 WIN (wireless information networking) semiconductor Corp.의 GaAs 기반 PHEMT (pseudomorphic high electron mobility transistor) 공정을 사용하여 개발되었다. 개발된 Ku 대역 2W MMIC 전력증폭기의 측정결과, 13.75 GHz ~ 14.5 GHz의 동작주파수 범위에서 29 dB 이상의 이득, 33.4 dBm 이상의 포화 출력전력을 얻었다. 특히 전력부가효율은 29 %로 기존에 발표된 GaAs 기반 Ku 대역 2W MMIC 전력증폭기 상용 제품들에 비하여 높은 결과를 얻을 수 있었다.
In this paper, we demonstrated a Ku-band 2W MMIC power amplifier for satellite communication applications. The device technology used relies on $0.25{mu}m$ GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) of Wireless Information Networking (WIN) Semiconductor foundry. The 2W MMIC power amplifier has gain of over 29 dB and saturation output power of over 33.4 dBm in the frequency range of 13.75 ~ 14.5 GHz. Power added efficiency (PAE) is a 29 %. To our knowledge, this is the highest power added efficiency reported for any commercial GaAs-based 2W MMIC power amplifier in the Ku-band.
