부분 이온화 증착법으로 상온에서 8$ imes$10-7 -1$ imes$10-6 Torr의 진공도에서 Si(100) 기판 위에 두께 1800 $AA$의 구리 박막을 제작하고 가속전압에 따른 박막의 결정성 전기적 기계적 성질 등을 연구하였다. XDR분석결과 구리박막은 증착 변수에 관계없이 (111)과 (200) 면만 이 존재하며 구리 박막의 상대강도비 I(111)/I(200)는 가속 에너지가 0kV일때 6.8에서 가속 에너지가 4kV일때 37로 크게 증가하였다. 구리박막의 결정립 크기는 가속전압 2kV까지는 가속전압의 증가에 의한 adatom 이동도의 증진으로부터 결정립의 크기가 증가한다. 그러나 2kV 이상의 가속전압에서는 이온전류밀도가 커짐에 따라 이온충돌 효과에 의한 핵생성 밀 도가 증가하게 되어 결정립 크기가 감소하였으며 구리박막의 표면 거칠기는 가속전압 증가 에 따라 감소하였다. 구리박막의 비 저항은 가속전압이 증가함에 따라 bulk 비저항에 접근 하였으며 비교적 얇은 두께인 1800$AA$의 구리박막에서 가속전압 3kV에서 1.94 $mu$$Omega$cm 낮은 비저항을 갖는 박막을 제작할수 있었다. 가속 에너지 3kV로 증착한 구리박막의 접착력 가 속 에너지 0kV로 증착한 구리박막보다 접착력이 5배이상 증가하였다. 또한 가속전압 4kv에 서 직경 0.5$mu$m, 깊이 $1.5mu$m인 via hole에 void가 없이 구리박막을 완전하게 채울수 있었