플래시 메모리 중 NAND 플래시 메모리는 저 전력과 빠른 접근 속도의 특징 때문에 유비쿼터스 및 모바일 환경에 적합한 특성으로 차세대 저장장치로 주목 받고 있다. 특히 플래시 메모리는 소형의 모바일 기기용 메모리와 SSD(solid state disk)와 같이 대용량 메모리 등 여러 분야에서 저장장치로 이용하고 있으며, 효율적 활용을 위하여 활발한 연구가 진행되고 있다. 그러나 NAND 플래시메모리 기반의 저장장치는 쓰기 전 소거 구조와 같은 독특한 하드웨어 특징을 가지고 있으며 B트리 인덱스 구조이므로 반복적인 쓰기 요청이 발생 시 성능저하가 야기된다. 이러한 문제를 개선하기 위해 본 논 문에서는 LA트리를 이용한 NAND 플래시 메모리 기반 고장회복개선 기법을 제안한다. 그리고 제안 기법과 기존기법의 성능평가를 실시하였다. 분석결과 제안기법이 기존기법 보다 50% 정도 성능이 우 수함을 입증하였다.
The NAND flash memory has been attracting attention as anext-generation storage devicesuitable for a ubiquitous mobile environment due to its characteristics of having low power and fast access speed as compared to the other types of flash memory. In particular, flash memory is being used in many fields, such as memory for a small mobile device and a large-capacity memory like SSD (solid state disk), and many researches are being actively done for the effective utilization. However, the NAND flash memory-based storage device has unique hardware features, such erasing before writing based on the B-tree index structure, which causes degradation when writing requests are made repetitively.In order to address such problem, this paper proposes an improved technique for the NAND flash memory-based failure recovery by using the LA tree. The performance of the proposed technique has been evaluatedin comparison to the existing technique and it was found that the proposed technique resulted in 50% improved performance as compared to the existing technique.
1. 서론 2. 관련연구 3. LA-Tree를 이용한 NAND 플래시 메모리 기반 고장회복 기법 4. 성능평가 5. 결론 References
