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AIN 완충층이 형성된 (001) Si 기판위에 GaN의 성장과 특성
이영주, 김선태, 정성훈, 문동찬, Lee. Yeong-Ju, Kim. Seon-Tae, Jeong. Seong-Hun, Mun. Dong-Chan 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.1 38-44 (7 pages)
extrm{m}$/hr로서 AIN완충층의 두께가 증가함에 따라 증가하였다. AIN완충층위에서 GaN의 성장초기에는 수 $mu extrm{m}$크기의 결정들이 임의의 방향으로 성장된 후 성장시간이 경과함에 따라 수평방향으로의 성장에 의하여 합쳐지게 되며, c-축 방향으로 배향된 평탄한 표면을 갖는 다결정체가 성장되었다. 20K의 온도에서 측정된 광루미네센스(PL)스펙트럼에서는 3.482eV에서 자유여지자에 의한 발광과 3.7472eV에서 반치폭이 9.6meV인 도너 구속여기자 발광 및 3.27eV 부근에서의 도너-억셉터 쌍 사이의 재결합과 LO포는 복제에 의한 발광이... -
HVPE법에 의한 GaN의 성장과 특성
김선태, 문동찬, 홍창회, Kim. Seon-Tae, Mun. Dong-Chan, Hong. Chang-Hoe 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.5 457-461 (5 pages)
기판위에 GaN 박막을 성장하였다. 110$0^{circ}C$의 온도에서 박막의 성장률은 120$mu extrm{m}$/hr이었고, 사파이어 기판과 GaN사이의 격자상수와 열팽창계수차로 인하여 많은 크랙이 존재하였다. 두께가 20$mu extrm{m}$인 GaN의 (0002)면에 대한 X-선 회절피크의 반치폭은 576초 이었다. 10K의 온도에서 측정된 광루미네센스 스펙트럼에서는 강한 강도의 속박여기자에 의한 피크(I2)와 약한 강도의 도너-억셉터 쌍 사이의 재결합에 의한 피크가 나타났으며, 깊은 준위로부터의 발광은 검출되지 않았다. GaN 박막의 전기전도형은 n형... -
합성용질확산법에 의한 GaP결정의 성장과 전기루미네센스 특성
김선태, 문동찬, Kim. Seon-Tae, Mun. Dong-Chan 한국재료학회 한국재료학회지 10 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1993, Vol.3 No.2 121-130 (10 pages)
스펙트럼이 나타났다. n형의 GaP내에서 Zn의 확산깊이는 확산시간의 제곱근에 비례하였으며, 확산계수의 온도의존성은 D(T)=3.2${ imes}{10^3}$ exp(-3.486/KbTc$m^2$/sec이었다. p-nGaP 동종접합다이오드의 전기루미제센스 스펙트럼은 깊은 준위의 도너인 Zn-O 복합중심(complex center)과 Zn가 형성한 역셉터 준위사이의 도너-억셉터 쌍 재결합 천이에 의한 630nm의 발광과 에너지갭 부근의 케리어 재결합 처이에 의한 550nm의 발광으로 구성되었으며, 100mA보다 낮은 전류 영역에서 광자의 방출은 bane-filling 과정으로 이루어 진다. -
Defect center of $Li^{+}$ ion implanted $Al_2O_3$
Kim. Tae-Kyu 한국의학물리학회 의학물리 8 Pages
한국의학물리학회 의학물리 1994, Vol.5 No.2 13-20 (8 pages)
후 전자선조사 방법으로 전자들이 주입된 $alpha$-$Al_2O_3$의 열자극 발광(Thermoluminescence : TL)에 관련된 결함 형태를 조사하였다. 감마선 조사된 $alpha$-$Al_2O_3$의 열자극 발광 곡선은 380K, 415K, 440K, 460K 및 475K에서 TL peak가 나타났다. 광흡수 스펙트럼과 자외선 photobleaching 결과로부터 감마선 조사된 $alpha$-$Al_2O_3$의 380K와 475K TL peak는 F center에, 415K TL peak는 $F^{+}$ center에 기인함을 알았다. 전자선 조사방법에 의하여 전자 주입된 $alpha$-$Al_2O_3$의 열자극 발광 곡선은 380K, 415K, 440K 및... -
Sol-gel Derived-highly Transparent c-axis Oriented ZnO Thin Films
이영환, 정주현, 전영선, 황규석, Lee. Young-Hwan, Jeong. Ju-Hyun, Jeon. Young-Sun, Hwang. Kyu-Seog 한국안광학회 한국안광학회지 6 Pages
한국안광학회 한국안광학회지 2008, Vol.13 No.1 71-76 (6 pages)
주사형 전자 현미경, 원자간력 현미경, ultra violet - visible - near infrared spectrophotometer 및 photoluminescence를 이용하여 분석하였다. 결과: 가시광 영역에서 높은 투과율과 자외부에서 뚜렷한 흡수밴드를 갖는 c-축으로 고배향된 ZnO 박막을 300$^{circ}C$의 후열처리를 통하여 얻을 수 있었다. 비교적 뚜렷한 near band edge 발광을 보이는 photoluminescence 스펙트럼이 나타났으며, 결함에 의한 완만한 녹색 발광은 거의 관찰되지 않았다. 결론: 앞으로 본 연구는 300$^{circ}C$ 이하의 저온에서 저렴하고 쉽게 ZnO을... -
Al2O3 기판위에 증착한 ZnGa2O4 형광체 박막의 산소분압에 따른 형광특성
이성수, Yi. Soung-Soo 한국센서학회 센서학회지 6 Pages
한국센서학회 센서학회지 2002, Vol.11 No.2 118-123 (6 pages)
100, 200, 300 mTorr로 변화시키며 $Al_2O_3$(0001) 기판 위에 펄스 레이저 증착법을 이용하여 증착하였다. 다른 산소 분압에서 성장한 박막들의 미세 결정구조와 형광특성을 조사하였으며, 산소분압이 증가할수록 박막의 결정성이 변화하였으며 박막의 조성비가 다름을 형광특성을 통하여 알 수 있었다. 발광 스펙트럼은 460 nm에서 최고 피크값 을 나타내었으며, 300 nm에서 600 nm까지 갖는 넓은 밴드의 형광 특성을 나타내었다. 최적의 조건에서 성장된 박막의 형광 밝기를 고려해볼 때 $Al_2O_3$(0001) 기관이 우수한 $ZnGa_2O_4$... -
X-선 저장 BaFBr1-xIx:Eu2+, Na+ 형광체의 제조 및 특성
천종규, 김성환, 김찬중, 김완, 강희동, 김도성, 서효진, 도시홍, Cheon. Jong-Kyu, Kim. Sung-Hwan, Kim. Chan-Jung, Kim. Wan, Kang. Hee-Dong, Kim. Do-Sung, Seo. Hyo-Jin, D 한국센서학회 센서학회지 9 Pages
한국센서학회 센서학회지 2002, Vol.11 No.1 9-17 (9 pages)
조성 조건을 조사하고, 제조한 형광체의 광자극발광 강도, 스펙트럼, fading 특성 및 선량의존성을 조사하였다. 그리고 이 특성을 상업적으로 시판하고 있는 일본 부사(富士)사진필름회사 제품 영상판(ST-III)의 특성과 비교하였다. $BaFBr_{1-x}I_x:Eu^{2+}$, $Na^+$ 형광체의 최적 제조 조건은 $Eu_F3$ 0.5mol%, NaF 4.0mol% 그리고 조성비 x=0.3 이었으며, 소결온도는 수소 분위기에서 $950^{circ}C$이었다. 조성비 x=0일 때 $BaFBr_{1-x}I_x:Eu^{2+}$, $Na^+$ 형광체의 스펙트럼영역은 $365{sim}420;nm$이었고, 최대 발광강도는 390... -
플라스틱 섬광체의 제작과 $^{60}Co$ $gamma$-선에 의한 방사선 손상
김성환, 남승희, 천종규, 김완, 강희동, 김도성, 이우교, 도시홍, Kim. Sung-Hwan, Nam. Seung-Hee, Cheon. Jong-Kyu, Kim. Wan, Kang. Hee-Dong, Kim. Do-Sung, Lee. Woo-Gyo, D 한국센서학회 센서학회지 7 Pages
한국센서학회 센서학회지 2000, Vol.9 No.5 350-356 (7 pages)
광출력이 크고, 방사선 손상이 작은 플라스틱 섬광체를 제작하기 위하여 제1용질 p-terphenyl과 제2용질 popop의 조성비에 따른 $^{60}Co$ $gamma$-선에 대한 손상과 상대적 광출력을 조사하였다. $^{60}Co$ $gamma$-선에 의한 손상은 주로 제2용질의 농도에 의존하였다. 발광스펙트럼의 파장범위는 $400{sim}450;nm$이고, 중심파장은 415 nm이었다. $^{60}Co$ $gamma$-선의 조사량이 $1{ imes}10^4;Gy$까지는 방사선 손상에 의한 광투광율파 광출력 등이 변하지 않았다. -
CsI(Br) 단결정의 육성과 섬광특성
오문영, 정용조, 이우교, 도시흥, 강갑중, 김도성, 김완, 강희동, Oh. M.Y., Jung. Y.J., Lee. W.G., Doh. S.H., Kang. K.J., Kim. D.S., Kim. W., Kang. H.D. 한국센서학회 센서학회지 9 Pages
한국센서학회 센서학회지 2000, Vol.9 No.5 341-349 (9 pages)
단결정의 결정구조는 체심입방체였으며, 격자상수 ${alpha}_0$는 $4.568;{AA}$이었다. CsI(Br) 단결정들의 흡수단 파장은 243 nm이었다. 그리고 흡수단 파장으로 여기 시킨 발광스펙트럼의 파장범위는 $Br^-$ 이온 농도에 관계없이 $300{sim}600;nm$이었고, 중심파장은 모두 약 440 nm이었으며, 발광강도는 $Br^-$ 이온을 3 mole % 첨가하였을 때 가장 컸다. $Br^-$ 이온을 3 mole % 첨가한 CsI(Br) 섬광체의 에너지 분해능은 $^{137}Cs$(662 keV)에 대해서는 15.0%, $^{54}Mn$(835 keV)에 대해서는 13.1%이었고, $^{22}Na$의 511 keV와... -
CsI(Li) 단결정의 섬광특성
이우교, 도시홍, 노태익, 김완, 강희동, 문병수, Lee. W.G., Doh. S.H., Ro. T.I., Kim. W., Kang. H.D., Moon. B.S. 한국센서학회 센서학회지 9 Pages
한국센서학회 센서학회지 1999, Vol.8 No.5 359-367 (9 pages)
육성한 CsI(Li) 단결정의 격자구조는 bcc구조였으며, 격자상수 $a_o$ 값은 $4.568;{AA}$이었다. CsI(Li) 단결정의 흡수단은 245 nm이였으며, 흡수단으로 여기 시킨 발광스펙트럼의 파장범위는 $300{sim}600;nm$이었고 중심파장은 425 nm이었다. Li 농도를 0.2 mole% 첨가한 경우 에너지 분해능은 $^{137}Cs$(662 keV)에 대해서는 14.5%, $^{54}Mn$(835 keV)에 대해서는 11.4%이었고 $^{22}Na$의 511 keV와 1275 keV에 대한 에너지 분해능은 각각 17.7%와 7.9% 이었다. 그리고, $gamma$선 에너지와 에너지 분해능 사이의 관계식은 ln...