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Hot Wall Epitaxy(HWE) 방법에 의한 $AgInS_2$ 단결정 박막 성장과 광전도 특성
한국결정학회 한국결정학회지 1998, Vol.9 No.2 96-106 (11 pages)
광발광 스펙트럼은 597.8 nm(2.0741 eV) 근처에서 엑시톤 방출 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 121 arcsec로 가장 작게 측정되어 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293 K에서 각각 9.35×1023개/㎥, 2.94×10-2㎡/V·s였다. AgInS2 단결정 박막의 광전류 단파장대 봉우리들로부터 10 K에서 측정된 ΔCr(crystal field splitting)은 0.15eV, ΔSo(spin orbit coupling)는 0.0089... -
$CuInTe_2$ 단결정 성장과 특성연구(II)
유상하, 홍광준, 이상렬, 신용진, 이관교, 서상석, 김승욱, 정준우, 신영진, 정태수, 신현길, 김택성, 문종대, You. S.H., Hong. K.J., Lee. S.Y., Shin. Y.J., Lee. K.K., Suh. S.S., Kim. S.U., Jeon 한국결정학회 한국결정학회지 11 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1997, Vol.8 No.1 48-58 (11 pages)
c축에 수직 및 평행한 시료의 광전도도와 광발광특성을 293K에서 20 K의 온도영역에서 측정하였다. 측정된 광전류 봉우리로부터 구한 c축에 수직 및 평행한 시료의 에너지 띠 간격은 상온에서 각각 0.948 eV와 0.952 eV였다. 광전류 봉우리와 광발광 봉우리의 에너지차는 포논에너지이며 상온에서 c축에 수직 및 평행한 시료의 에너지차는 각각 22.12 meV와 21.4 meV였다. 또한 광전류 스펙트럼으로부터 시료의 spin-orbit 상호작용과 결정장 상호작용에 의한 가전자대의 갈라짐 ${Delta}cr$과 ${Delta}so$는 각각 0.046, 0.014 eV였다. -
Hot Wall Epitaxy(HWE)에 의한 ZnIn$_2S_4$ 단결정 박막 성장과 특성
최승평, 홍광준 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 10 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2001, Vol.11 No.4 138-147 (10 pages)
광발광 (photoluminescence) 스펙트럼이 433nm (2.8633 eV)에서 exciton emission 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡성 (DCRC)의 반폭치(FWHM)도 133 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 $293^{circ}$K에서 각각 $8.51{ imes}10^{17}electron{ extrm}{cm}^{-3}$, 291$ extrm{cm}^2$/V-s 였다. $ZnIn_{2}S_{4}$ 단결정 박막의 광전류 단파장대 봉우리들로부터 $10^{circ}$K에서 측정된... -
$A1_{0.15}$$Ga_{0.85}$N/GaN 박막의 광학적 특성
정상조, 차옥환, 서은경, 김영실, 신현길, 조금재, 남승재 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1999, Vol.9 No.6 553-557 (5 pages)
광발광(PL), 광전류)PC), 광단속에 의한 광권도도(PPC) 측정하였다. PL과 PC로 결정된 $A1_x$$Ga_{1-x}$N/GaN 박막의 광학적 에너지 간격은 3.7eV 이었다. PC측정 시 빛을 시료의 위쪽에서 조사시켰을 때에는 3.70, 3.40eV의 peak와 2.2eV 근방에서 broad한 peak가 관측되었다. 그러나 기판 쪽에서 빛을 조사시켰을 때의 PC 스펙트럼은 2.2eV 근방에서 broad한 peak와 3.43eV peak 만을 볼 수 있었다. PPC실험에서 관측된 photocurrent quenching과 비정상적인 PPC현상은 GaN 띠간격내에 형성된 전위나 vacancy 등의 결정결함 준위내에... -
Hot Wall Epitaxy(HWE)에 의한 $AgInSe_2$단결정 박막 성장과 특성에 관한 연구
홍광준 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 10 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1999, Vol.9 No.2 197-206 (10 pages)
발광 스펙트럼은 884.1nm(1.4024eV) 근처에서 excition emission 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 회절곡선(DCXD)의 반폭치(FWHM)도 125arcsec로 매우 작은 값으로 측정되어 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 $9.58{ imes}10^{22} electron/m^3,; 3.42{ imes}10^{-2}m^2/V{cdot}s$였다. $AgInSe_2$단결정 박막의 광전류 단파장대 봉우리들로부터 20K에서 측정된 $Delta$Cr(Crystal field splitting)은...
