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221.

곡선형 사각요소에 의한 유한요소 해석

이직렬, 김정기 한국통신학회 한국통신학회논문지 6 Pages

한국통신학회 한국통신학회논문지 1985, Vol.10 No.2 76-81 (6 pages)

이직렬, 김정기 저

이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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본 논문은 곡선형 사각요소에 대한 기저함수를 제시한 후 이를 이용하여 동축 케이블 및 동축 횡단면 도파관에 대해 유한 요소법을 적용하였다. 동축 케이블의 경우 동일한 수의 요소에 대해 같은 크기보다는 비례의 크기를 갖는 요소에서 더욱 정확한 결과를 얻을 수 있었다. 또한 동축 횡단면 도파관의 경우 차단 주파수는 횡단면의 각도보다는 내, 외경의 변화에 더 큰 영향을 가짐을 확인하였다.
222.

MHEMT 소자의 DC/RF 특성에 대한 시뮬레이션 연구

손명식, Son. Myung-Sik 한국진공학회 韓國眞空學會誌 11 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.5 345-355 (11 pages)

손명식, Son. Myung-Sik 저

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논문에서는 이러한 MHEMT의 DC/RF 소신호 특성을 예측하기 위하여 InAlAs/InGaAs/GaAs MHEMT 소자들의 DC/RF 소신호 주파수 특성을 시뮬레이션하였다. 2차원 소자 시뮬레이터의 hydrodynamic 전송 모델을 사용하여 $In_{0.52}Al_{0.48}As/In_{0.53}Ga_{0.47}As$ 이종접합 구조를 갖는 제작된 0.1-${mu}m$ ${Gamma}$-게이트 MHEMT 소자에 대하여 파라미터 보정 작업을 수행한 후, MHEMT 소자들에 대해 DC 특성 및 RF 소신호 주파수 특성을 시뮬레이션하고 실험 데이터와 비교 분석하였다. 또한, 게이트 리세스 구조에 따른 MHEMT 소자들의...
223.

100 nm T-gate의 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 소자 제작 및 특성에 관한 연구

김형상, 신동훈, 김순구, 김형배, 임현식, 김현정, Kim. H.S., Shin. D.H., Kim. S.K., Kim. H.B., Im. Hyun-Sik, Kim. H.J. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2006, Vol.15 No.6 637-641 (5 pages)

김형상, 신동훈, 김순구, 김형배, 임현식, 김현정, Kim. H.S., Shin. D.H., Kim. S.K., Kim. H.B., Im. Hyun-Sik, Kim. H.J. 저

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100 nm 게이트 길이를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs MHEMT(metamorphic high electron mobility transistors)m의 DC와 RF 특성을 분석 하였다. 이중 노광 방법으로 ZEP520/P(MMA-MAA)/PMMA 3층 구조의 레지스터와 게이트 길이 100 nm인 게이트를 제작하였다. 게이트의 단위 폭이 $70;{mu}m$인 2개의 게이트와 길이가 100 nm로 제작된 MHEMT를 DC 및 RF특성을 조사하였다. 최대 드레인 전류 밀도는 465 mA/mm, 상호전달 컨덕턴스는 844 mS/mm이, RF 측정으로부터 전류 이득 차단 주파수는 192 GHz와 최대 진동주파수 310 GHz인 특성을 보였다.
224.

실리콘-게르마늄 바이시모스 공정에서의 실리콘-게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터 열화 현상

김상훈, 이승윤, 박찬우, 강진영, Kim. Sang-Hoon, Lee. Seung-Yun, Park. Chan-Woo, Kang. Jin-Young 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2005, Vol.14 No.1 29-34 (6 pages)

김상훈, 이승윤, 박찬우, 강진영, Kim. Sang-Hoon, Lee. Seung-Yun, Park. Chan-Woo, Kang. Jin-Young 저

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열화 현상에 대하여 고찰하였다. 독립적으로 제작된 소자에 비해 SiGe BiCMOS 공정에서의 SiGe HBT소자는 얼리 전압(Early voltage), 콜렉터-에미터 항복전압 및 전류이득등의 DC특성이 열화되고 상당한 크기의 베이스 누설전류가 존재한다는 것을 알 수 있었다. 또한 AC 특성인 차단주파수(fT) 및 최대 진동주파수(fmax)도 1/2이하로 현저하게 저하되는 것을 확인하였다. 이는 고온의 소오스-드레인 열처리에 의한 붕소의 농도분포 변화가 에미터-베이스 및 콜렉터-베이스 접합 위치에 변화를 주고, 결국 실리콘-게르마늄 내에서의 접합...
225.

실리콘-게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 신뢰성 현상

이승윤, 박찬우, 김상훈, 이상흥, 강진영, 조경익 한국진공학회 韓國眞空學會誌 12 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2003, Vol.12 No.4 239-250 (12 pages)

이승윤, 박찬우, 김상훈, 이상흥, 강진영, 조경익 저

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걸리면 에미터-베이스 접합면의 테두리 부분에서 높은 에너지를 가지는 전자와 정공들이 생성되고, 이들 전자와 정공들이 실리콘-산화막 계면 및 산화막 내부에 전하를 띈 트랩을 생성하기 때문에 재결합에 의한 베이스 누설전류가 증가하여 소자의 전류이득은 크게 감소하게 된다. 에미터-베이스 접합과 외부 베이스의 거리가 임계 값보다 짧을 때에는 소자의 차단주파수($f_t$)가 감소하게 되는데 이것은 외부 베이스 이온주입에 의하여 내부 베이스 내의 도펀트의 확산이 촉진되어 나타나는 현상이다. 외부 베이스 이온주입 에너지가...
226.

AlGaAs/GaAs HBT 에미터 전극용 Pd/Si계 오믹 접촉

김일호 한국진공학회 韓國眞空學會誌 10 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2003, Vol.12 No.4 218-227 (10 pages)

김일호 저

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20초의 급속 열처리 조건에서 최저 $3.9 imes10^{-7}Omega extrm{cm}^2$의 접촉 비저항을 나타내었다. 두 오믹 접촉 모두 오믹 재료와 InGaAs의 평활한 계면을 유지하면서 우수한 오믹 특성을 나타내어, 화합물 반도체 소자의 오믹 접촉으로 충분히 응용 가능하였다. Pd/Si/Ti/Pt 및 Pd/Si/Pd/Ti/Au를 AlGaAs/GaAs HBT의 에미터 오믹 접촉으로 사용하여 제작된 HBT 소자의 고주파 특성을 측정한 결과, 차단 주파수가 각각 63.9 ㎓ 및 74.4 ㎓로, 또한 최대공진 주파수가 각각 50.1 ㎓ 및 52.5 ㎓로 우수한 작동특성을 보였다.
227.

무정전 전원장치용 디지털 위상동기화 기법

김제홍, 최재호 한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會誌 8 Pages

한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會誌 1997, Vol.11 No.3 106-113 (8 pages)

김제홍, 최재호 저

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필요로 한다. 본 논문에서는 TMS320s31 디지털 신호처리기에서 완전 소프트웨어로 구현된 디지털 위상동기화회로를 제안한다. 이 디지털 위상동기화회로는 인버터 출력단 LG필터를 포함한 폐-루프 방식으로 구성되었다. 또한, 구조가 간단하여 구현이 쉽고 완전 소프트웨어로 구현함으로서 고신뢰성과고유연성을 가지고 있다. 바이패스전원의 기준 입력신호가 설정된 주파수에서 $pm$1[Hz} 이상 벗어나면 무정전 전원장치의 제어기가 자체적으로 디치털 위상동기화로의 바이패스 기준입력신호를 차단하여 60[Hz]로 발진하도록...
228.

IEEE 802.15.4g MR-OFDM SUN 표준을 지원하는 0.18-μm CMOS 기저대역 회로 설계에 관한 연구

배준우, 김창완, Bae. Jun-Woo, Kim. Chang-Wan 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 6 Pages

한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2013, Vol.17 No.3 685-690 (6 pages)

배준우, 김창완, Bae. Jun-Woo, Kim. Chang-Wan 저

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1 dB 다중 채널 차단 주파수를 지원하며, +7 dB에서 +84 dB까지 1 dB 단계로 전압 이득을 제공한다. 또한 제안하는 기저대역 수신기는 DC-offset 제거 회로를 사용함으로써 직접 변환 수신기 구조에서 발생되는 DC-offset 문제를 회피하였다. 모의실험 결과 제안하는 수신기는 최대 차동 신호 $1.5V_{pp}$의 입력 신호를 받아들일 수 있으며, 5 kHz와 500 kHz에서 42 dB, 37.6 dB 노이즈 지수를 각각 제공한다. 제안하는 I/Q기저대역 수신기는 $0.18-{mu}m$ CMOS 공정으로 설계되었으며, 1.8 V의 전압으로 부터 총 17 mW 전력을 소모한다.
229.

LTE-Advanced 표준을 지원하는 CMOS Active-RC 멀티채널 Low-Pass Filter

이경욱, 김창완, Lee. Kyoung-Wook, Kim. Chang-Wan 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 6 Pages

한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2012, Vol.16 No.3 565-570 (6 pages)

이경욱, 김창완, Lee. Kyoung-Wook, Kim. Chang-Wan 저

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필터는 5 MHz, 10 MHz, 그리고 40 MHz의 3가지 모드의 차단주파수를 제공하며 Active-RC 5차 Chebyshev 구조로 설계되었다. 저전력을 확보하면서 40 MHz의 높은 차단 주파수를 확보하기 위해서 부성 저항을 가지는 PMOS Cross-Connection Load를 사용한 연산증폭기를 필터에 적용하였다. 더불어 공정, 전압, 그리고 온도에 의한 각각의 차단주파수 변화에 대응할 수 있도록 각각 3-bit 제어 가능한 튜닝회로를 추가하였다. 제안하는 필터는 0.13-${mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 설계하였으며 1.2 V 전압에서 총 20.9 mW 전력을 소모한다.
230.

개인휴대통신에서 이동국의 수신성능개선을 위한 시스템 분석

주재한, 박세승, 박종안, 천종훈, Ju. Jae-Han, Park. Se-Seung, Park. Jong-An, Cheon. Jong-Hun 한국정보처리학회 정보처리논문지 8 Pages

한국정보처리학회 정보처리논문지 1999, Vol.6 No.1 159-166 (8 pages)

주재한, 박세승, 박종안, 천종훈, Ju. Jae-Han, Park. Se-Seung, Park. Jong-An, Cheon. Jong-Hun 저

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스퓨리어스에 의한 응답감쇄 규격에서 각각 잡음지수와 제 3고조파 차담점을 구하고 시뮬레이션을 통하여 분석하였다. 시뮬레이션 결과 수신감도 규격에서는 전체 잡음지수가 5.99dB이고 제 3고조파 차단점은 -33.979dBm이었다. 또한 단일톤 둔감도 및 상호 변조 스퓨리어스에 의한 응답감쇄 규격에는 전제 잡음지수가 0.367dBm이고 제 3고조파 차단점은 6.989 이 증가되었다. 이것은 잡음지수보다 제 3고조파 차단점이 훨씬 증가 되므로 간섭톤과 밀접한 관계가 있는 소자인 Mixer는 제 3고조파 차단점을 높게 규정하고 IF SAW...

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