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Plasma 처리한 유기 절연층을 갖는 유기 박막 트랜지스터의 전기적 특성 연구
김연주, 박재훈, 강성인, 최종선 한국진공학회 韓國眞空學會誌 4 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2004, Vol.13 No.3 99-102 (4 pages)
유기 절연층을 사용한 유기 박막 트랜지스터의 특성 향상을 위해 절연층 표면에 Ar플라즈마 처리를 하였다. 플라즈마 처리는 절연체 표면의 화학적, 물리적 특성 변화를 통해 그 후에 이어지는 활성층 성막시 분자들의 결정성을 향상시키기 위한 방법이다. 활성층으로 사용된 물질은 pentacene이며, 절연층으로 사용된 물질은 PVP(poly-vinyl-phenol)이다. Pentacene는 약 $10^{-6}$ Torr에서 0.5 $AA$/sec의 속도로, PVP는 spin coating법에 의해 각각 성막되었다. 형성된 절연층을 일정 시간동안 H플라즈마 처리 한 후 각 소자의 전기적... -
AC plasma display panel의 페닝 방전가스 혼합비 변화에 따른 방전특성 연구
박문필, 이승준, 이재경, 황호정 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2002, Vol.11 No.2 127-134 (8 pages)
2원 혼합기체에 페닝 효과를 극대화하기 위한 소량의 Ar, Kr을 첨가하여 각각의 첨가비에 따른 방전 개시전압, 방전 유지전압, 휘도, 발광효율 등을 측정하였다. 또한 페닝효과에 의한 방전 공간상의 전자수 증가를 확인하기 위해 셀 내의 전극 위에 쌓이는 벽전하 양을 측정하였다. 소량의 Ar(0.01%-0.03%) 또는 Kr(0.01%-0.03%)을 HE-Ne-Xe과 Ne-Xe 혼합가스에 첨가했을 때 페닝효과에 기인하여 휘도 및 발광효율이 각각 최고 10%-20% 증가하였다. 또한 페닝효과를 확인하기 위한 벽전하의 양은 10%-25% 증가를 보였다. 방전개시전압 및... -
Plasma로 활성화된 질소 원자를 사용한 사파이어 기판 표면의 저온 질화처리의 XPS 연구
이지면, 백종식, 김경국, 김동준, 김효근, 박성주 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.4 320-327 (8 pages)
원격 플라즈마 화학기상증착법(Remote Plasma Enhanced-Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition)에 의해 활성화된 질소 원자를 사용하여 사파이어 기판의 표면 을 저온에서 질화처리한 후 표면의 화학적 조성을 조사하였다. 질화처리에 의해 주로 표면 에 형성된 물질은 AIN임을 X-선 광전자 분광방법(X-ray photoelectron spectroscopy:XPS) 을 사용하여 확인하였다. 또한 플라즈마의 RF 출력, 반응 온도 및 시간에 따라서 기판의 Al 과 반응한 질소의 상대적인 양과, 표면 형태를 XPS와 AFM(atomic force microscopy)을 사... -
모델링을 통한 Ar 플라즈마 중의 미립자 운동에 관한 연구
임장섭, 소순열 한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 8 Pages
한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 2004, Vol.18 No.1 52-59 (8 pages)
부유하는 상태를 말한다. 플라즈마 프로세스에서는 이러한 미립자가 집적회로에 중착되어 막의 열화, 회로 배선의 불량 및 단선 등의 약영향을 끼치는 것으로 인식되고 있으며, 이러한 부분에 대한 억제나 제어에 관한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 유체 모델을 이용한 시뮬레이션으로부터 방전 챔버내의 Ar 플라즈마의 현상을 이해하고, Ar 플리즈마 중에 미립자를 투입하여 그 움직임을 분석하여, 플라즈마 중의 미립자 운동의 핵석 결과로서는, 하부 전극 면위에 비교적 규칙성을 갖는 미립자가 배열하는 것을 확인할 수... -
Model-Based Analysis of the $ZrO_2$ Etching Mechanism in Inductively Coupled $BCl_3$/Ar and $BCl_3/CHF_3$/Ar Plasmas
Kim. Man-Su, Min. Nam-Ki, Yun. Sun-Jin, Lee. Hyun-Woo, Efremov. Alexander M., Kwon. Kwang-Ho 한국전자통신연구원 ETRI journal 11 Pages
한국전자통신연구원 ETRI journal 2008, Vol.30 No.3 383-393 (11 pages)
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Ar 가스 압력과 RF 전력에 따른 유도결합형 플라즈마의 전기적 및 광학적 특성
최용성, 허인성, 이영환, 박대희 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2004, Vol.17 No.5 560-566 (7 pages)
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Cl2/CF4 플라즈마에 Ar, O2 첨가에 따른 PZT 박막의 식각 손상 개선 효과
강명구, 김경태, 김창일 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2002, Vol.15 No.4 319-324 (6 pages)
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Dry Etching Characteristics of Zinc Oxide Thin Films in Cl2-Based Plasma
Woo. Jong-Chang, Ha. Tae-Kyung, Li. Chen, Kim. Seung-Han, Park. Jung-Soo, Heo. Kyung-Mu, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.2 60-63 (4 pages)
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O2/ Ar 플라즈마 처리에 의해 개질된 폴리카보네이트 기판에서 Cu의 밀착성
박준규, 김동원, 김상호, 이연승, Park. Jun-Kyu, Kim. Dong-Won, Kim. Sang-Ho, Lee. Youn-Seoung 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2002, Vol.12 No.9 740-746 (7 pages)