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Synthesis and Characterization of Some Transition Metal Complexes of Unsymmetrical Tetradentate Schiff Base Ligand
Munde. A. S., Jagdale. A. N., Jadhav. S. M., Chondhekar. T. K. 대한화학회 대한화학회지 8 Pages
대한화학회 대한화학회지 2009, Vol.53 No.4 407-414 (8 pages)
및 Fe(III) 착물이 팔면체 기하구조임을 제안하였다. X-선 회절 데이터로 부터 Cu(II) 착물이 사방정계(orthorhombic) 결정계, Ni(II), Co(II) 및 Fe(III) 착물이 단사계(monoclinic) 결정계 그리고 Mn(II) 착물이 정방정계(tetragonal) 결정계임을 제안하였다. 착물의 열적 행동(TG/DTA) 을 연구하였으며 Coats-Redfern 방법으로 반응속도 파라메터를 결정하였다. 리간드와 이들 금속 착물을 이용하여 Staphylococcus aureus 및 Escherichia coli에 대한 향균 활성과 Aspergillus Niger 및 Trichoderma 에 대한 살균 활성을 조사하였다. -
3차원 금속 착제를 Host로 하는 포접 화합물 [$Cd(pn)Ni(CN)_4{cdot}0.5(CH_3COCH_3{cdot}H_2O$)의 결정구조
박기민, 이욱, 암본진무, Park. Gi Min, Lee. Uk, Am. Bon Jin Mu 대한화학회 대한화학회지 7 Pages
대한화학회 대한화학회지 1994, Vol.38 No.6 435-441 (7 pages)
Fw = 387.35, Orthorhombic, $Pn2_1a$, a = 13.950(3) $AA$, b = 26.713(7) $AA$, c = 7.628(1) $AA$, V = 2843(1) $AA^3$, Z = 4, $D_x=1.81 gcm^{-3}$, $mu(MoK{alpha})$ = $28.153cm^{-1}$, T = 297K, 3521개($F_0>3{sigma}(F_0)$)의 회절 강도에 대한 최종 신뢰도 인자 R = 0.0418이 얻어졌다. 이 포접 화합물은 thiourea 포접 화합물과 유사한 턴넬형의 포접 공간(T-type)을 형성하며, 이런 포접공간 내에 분자당 0.5개의 아세톤과 물분자를 guest로서 받아 들인다. 표제의 포접 화합물은 이미 보고된 바와 같이, 가지달린 유기... -
$Bi_2S_3$ 薄膜의 光學的 特性
위성동, Wee. Sung-Dong 대한전자공학회 전자공학회논문지 5 Pages
대한전자공학회 전자공학회논문지 1989, Vol.26 No.4 62-66 (5 pages)
$Bi_2S_3$다결정과 $Bi_2S_3$ 무정형 박막은 증착방법에 의해서 성장되었다. 측정된 격자상수들은 기판온도 $210^{circ}C$에서 $a=1.708{AA},;b=3.943{AA} 그리고 $c=3.943{AA}$이었으며, orthorhombic 구조를 가진것으로 나타내었다. 다결정 박막 $Bi_2S_3$energy은 $289^{circ}C$ 에서 1.375eV로 측정되었다. 674nm의 중심에서는 변화된 광자흡수 구조로 생각되어졌다. -
Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$ 박막의 제작과 그 특성에 관한 연구
강성준, 장동훈, 민경진, 김성진, 정양희, 윤영섭, Gang. Seong-Jun, Jang. Dong-Hun, Min. Gyeong-Jin, Kim. Seong-Jin, Jeong. Yang-Hui, Yun. Yeong-Seop 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2000, Vol.37 No.4 7-14 (8 pages)
인 BIT 박막의 열처리조건을 확립하였다. Pt/Ta/Sio2/Si 기판 위에 제작된 BIT 박막은 완전한 orthorhombic perovskite상을 가지며, 입자크기가 약 100nm 이고 표면 거칠기는 약 70.2Å 으로 비교적 치밀한 형상을 나타내었다. 10㎑ 의 주파수에서 비유전률과 유전손실은 각각 176 과 0.038 이었으며, 100 ㎸/cm 의 전기장에서 누설전류밀도는 4.71㎂/㎠ 이었다. ±250㎸/㎝ 에서 이력곡선을 측정한 결과, 잔류분극 (Pr)과 항전계 (Ec)는 각각 5.92μC/㎠ 과 86.3㎸/㎝ 이었다. BIT 박막에 ±5V 의 사각펄스를 인가하여 피로특성을 측정한... -
결정구조와 이온 분극률에 따른 (Al,Mg,Ta)O2고용체의 마이크로파 유전상수 특성
최지원, 하종윤, 안병국, 박용욱, 윤석진, 김현재 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2003, Vol.16 No.2 108-112 (5 pages)
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$HoSi_2$소결체의 전기적 특성 연구
이우선, 김형곤, 김남오 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 4 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2001, Vol.14 No.10 792-795 (4 pages)
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$eta$-$FeSi_2$ 단결정의 전기적 광학적인 특성
김남오, 김형곤, 이우선 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 4 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2001, Vol.14 No.8 618-621 (4 pages)
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HoMnO3 박막의 강유전 특성의 결정상 의존성
김응수, 강동호, Kim. Eung-Soo, Kang. Dong-Ho 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2006, Vol.16 No.6 394-399 (6 pages)
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Mossbauer 분광법에 의한 $Cu_{0.95}Ge_{0.95}Fe_{0.1}O_3$의 연구
채광표, 권우현, 이영배 한국자기학회 韓國磁氣學會誌 6 Pages
한국자기학회 韓國磁氣學會誌 2000, Vol.10 No.1 16-21 (6 pages)
Mossbauer 스펙트럼을 측정 분석하였다. 결정구조는 직방정계(orthorhombic)였고 격자 상수는 a = 4.795 $AA$, b = 8.472 $AA$, c = 2.932 $AA$이며, SP 전이 온도($T_{sp}$)는 13 K임을 알아냈다. 상온에서 Mossbauer 스펙트럼은 $Fe^{3+}$ 이온에 의한 두 개의 Zeeman선과 한 개의 이중선이 중첩되어 나타났다. Ge 이온만을 Fe 이온으로 치환시켜 만든 시료의 Mossbauer스펙트럼은 Zeeman 선을 나타내고, Cu 이온만을 Fe 이온으로 치환시켜 만든 시료의 Mossbuer 스펙트럼은 이중선을 나타내는 것으로 보아 각각의 선이 Ge와 Cu 자리로... -
$Cu_{1-x}Ge_{1-y}Fe_{x+y}O_3$계의 자기적 및 Mossbauer 분광학적 연구
채광표, 권우현 한국자기학회 韓國磁氣學會誌 6 Pages
한국자기학회 韓國磁氣學會誌 1999, Vol.9 No.3 143-148 (6 pages)
변화를 밝히기 위하여 자기감수율과 Mossbauer 스펙트럼을 측정 분석하였다. 결정구조는 모든 시료가 직방정계(orthorhombic)였고 격자 상수는 Fe의 치환량이 증가할수록 a축과 c축만 약간 감소하였다. 온도를 내리면서 측정한 자기감수율의 값이 12.5K 근처에서 급격히 감소하는 SP 전이를 나타냈는데 이 온도는 Fe의 치환량이 많아질수록 약간씩 낮아졌다. Mossbauer 스펙트럼은 Fe3+ 이온에 의한 두 개의 Zeeman sextet와 한 개의 이중선이 중첩되어 나타났는데 특히 SP 전이 온도(Tsp)에서 Mossbauer변수들이 불연속이었다. 즉,...


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