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티타늄 함유 텅스텐 산화물 광촉매를 이용한 메탄올/물 분해로부터 수소제조
이가영, 박유진, 박노국, 이태진, 강미숙, Lee. Gayoung, Park. Yujin, Park. No-Kuk, Lee. Tae Jin, Kang. Misook 한국청정기술학회 청정기술 5 Pages
한국청정기술학회 청정기술 2012, Vol.18 No.4 355-359 (5 pages)
보다 효율적인 광 전기화학적 수소제조를 위하여 광촉매로써 산화텅스텐에 티타늄을 함침하여 $Ti/WO_3$ 나노입자를 제조하였다. 제조한 $Ti/WO_3$의 물리적 특성은 X-선 회절분석법(XRD), 주사전자현미경(SEM), 발광분광계(PL), 원자간력 현미경(AFM), 정전기 현미경(EFM)을 통해 확인하였다. 메탄올/물 (1/1) 광분해 수소제조 실험 결과, 순수 아나타제 티타니아나 산화텅스텐 광촉매보다 $Ti/WO_3$ 광촉매에서 촉매활성이 향상되었으며, 0.5 g의 0.10 mol % $Ti/WO_3$ 촉매를 사용한 경우 8시간 반응 시 3.02 mL의 수소가 발생되었다. -
W-polycide 게이트 구조에서 텅스텐 실리사이드 증착 방법에 따른 게이트 산화막의 내압 특성
정회환, 정관수 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1995, Vol.4 No.3 301-305 (5 pages)
습식 분위기로 성장한 게이트 산화막 위에 다결정 실리콘(poly-Si)과 텅스텐 폴리사이드(WSix/poly-Si)게이트 전극을 형성하여 제작한 금속-산화물-반도체(metal-oxide-semiconductor:MOS)의 전기적 특성을 순간 절연파괴(time zero dielectric breakdown: TZDB)로 평가하였다. 텅스텐 폴리사이드 게이트 전극에 따른 게이트 산화막의 평균 파괴정계는 다결정 실리콘 전극보다 1.93MV/cm 정도 낮았다. 텅스텐 폴리사이드 게이트 전극에서 게이트 산화막의 B model(1-8 MV/cm)불량률은 dry O2 분위기에서 열처리함으로써 증가하였다.... -
텅스텐 실리사이드 산화시 발생하는 이상산화 현상억제에 미치는 이온 주입효과
이재갑, 노재성, 이정용 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1994, Vol.3 No.3 322-330 (9 pages)
결정화를 이룩한 다음 표면의 산화막을 희석된 불산용액으로 제 거한 후 산화를 실시하면 이상산화막이 형성이 되었다. 이와 같은 이상산화막 형성은 산화 공정전에 P 또는 As 이온 주입을 실시함으로써 억제되고 있었으며 P이온 주입 처리가 As 이온조입보다 이상산화 막 발생 억제에 보다 효율적임이 확인되었다. P이온 주입처리가 보다 효과적인 것은 산화시 산화막내에 형성되는 P2O5 가 산화막의 용융점을 크게 낮추어 양질의 산화막을 형성하는 데 기인하는 것으로 여겨 진다. 마지막으로 이온주입 처리에 의하여 비정질화된... -
전기화학적 제조를 통한 나노다공성 텅스텐 산화물 성장의 전열처리 영향
김선미, 김경민, 최진섭, Kim. Sun-Mi, Kim. Kyung-Min, Choi. Jin-Sub 한국전기화학회 전기화학회지 6 Pages
한국전기화학회 전기화학회지 2011, Vol.14 No.3 125-130 (6 pages)
본 연구에서는 텅스텐 금속박막을 $200^{circ}C$에서부터 $600^{circ}C$의 온도 구간에서 전열처리 (Preannealing) 한 후에, 빛의 조사 유무에 따라 양극산화를 진행하여 생성된 텅스텐 산화물의 표면과 두께에 대해 관찰하였다. 결과적으로 6시간의 동일한 반응시간 동안, $400^{circ}C$에서 전열처리 한 후에 빛의 조사 없이 양극산화 하였을 때, $1.83{mu}m$ 두께의 텅스텐 산화물을 제조할 수 있는 것을 발견하였다. 더욱이 전열처리를 하게 되면 더 두꺼운 산화물을 제조 할 수 있으나, 빛을 조사하게 되면 전열처리에 의해 생성된... -
텅스텐 폴리사이드의 산화반응속도에 미치는 인 도핑 농도의 영향 $Pi$
이종무, 한석빈, 임호빈, 이종길 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1991, Vol.4 No.2 97-104 (8 pages)
CVD텅스텐 실리사이드를 어닐링처리 하지 않고 바로 wet oxidation하여 polycide구조에서 다결정 실리콘 내의 인의 농도가 실리사이드의 산화반응 속도에 미치는 영향을 조사하여 직선-포물선적 속도법칙을 토대로 하여 분석 조사하였다. 텅스텐 실리사이드의 산화속도는 다결정 실리콘 내의 도편트 인의 농도가 증가함에 따라 증가하는 것으로 나타났다. 직선적 속도상수와 포물선적 속도상수 모두 인의 농도가 증가함에 따라 증가하는 경향을 보였다. 직선적 속도상수에 대한 활성화 에너지는 인의 농도가 증가함에 따라 감소하였으나... -
텅스텐 폴리사이드의 산화반응속도에 미치는 인 도핑 농도의 영향 I
이종무, 윤국한, 임호빈, 이종길 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 12 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1991, Vol.4 No.1 19-30 (12 pages)
텅스텐 실리사이드를 어닐링처리후 dry 또는 wet oxidation하여 폴리사이드 구조에서 다결정 Si내의 농도가 실리사이드의 산화반응속도에 미치는 영향을 조사하였다. 인의 농도에 관계없이 항상 실리사이드의 산화속도가 (100)Si의 그것보다 더 높았다. 저온에서 dry oxidation한 경우 인의 농도가 증가함에 따라 산화속도는 감소하였으나 고온에서 dry oxidation한 경우에는 P농도와 산화속도간에 상관관계가 별로 없었다. 한편, wet oxidation의 경우에는 모든 산화온도에서 인의 농도가 높을수록 실리사인의 산화속도가 더 낮은 것으로... -
산화규소 표면위에서 $WF_6-SiH_4$ 화학증착에 의한 텅스텐 핵의 생성
최경근, 이청, 이시우, 이건홍, Choi. Kyeong-Keun, Yi. Chung, Rhee. Shi-Woo, Lee. Kun-Hong 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1992, Vol.2 No.1 19-26 (8 pages)
$WF_6$와 $SiH_4$의 화학반옹으로부터 산화규소막 위에 텅스텐 핵이 형성되는 현상을 실험을 통해 관찰하였다. 핵이 생성되는 속도는 반응온도가 높고 운반기체의 유량이 적으며 반응기내의 압력이 높을수록 큰 것으로 나타났다. 또한 반응기체가 흘러가는 방향에서 아랫쪽으로 위치하는 표면에 핵이 생성되는 속도가 큰 것으로 나타났다. 산화막위에 생성된 텅스텐 핵의 형상과 파단면을 주사현미경으로 관찰하였으며 산화막위에 형성된 텅스텐 박막의 화학적 조성을 밝혀내었다. -
산화 텅스텐 나노막대의 트라이볼로지 특성
김대현, 한준희, 송재용, 안효석, Kim. Dae-Hyun, Hahn. Jun-Hee, Song. Jae-Yong, Ahn. Hyo-Sok 한국윤활학회 윤활학회지 7 Pages
한국윤활학회 윤활학회지 2011, Vol.27 No.6 344-350 (7 pages)
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텅스텐 실리사이드의 산화에 따른 전기저항 및 과잉실리콘의 거동에 관한 연구
남유원, 이종무, 임호빈, 이종길 한국세라믹학회 요업학회지 7 Pages
한국세라믹학회 요업학회지 1990, Vol.27 No.5 645-651 (7 pages)