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플라즈마 기상 화학 증착법을 이용한 탄소나노튜브의 선택적 수직성장 기술
방윤영, 장원석, Bang. Yun-Young, Chang. Won-Seok 한국정밀공학회 한국정밀공학회지 8 Pages
한국정밀공학회 한국정밀공학회지 2007, Vol.24 No.6 113-120 (8 pages)
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플라즈마 화학 기상 증착법을 이용한 탄소나노튜브의 성장 분석 및 전계방출 특성
오정근, 주병권, 김남수 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2003, Vol.16 No.12 1248-1254 (7 pages)
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플라즈마 화학 기상 증착법에서 DC bias가 인가된 탄소나노튜브의 수직성장과 전계방출 특성
정성회, 김광식, 장건익, 류호진 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2002, Vol.15 No.4 367-372 (6 pages)
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플라즈마 화학 기상 증착법으로 제작된 Diamond-Like Carbon 박막의 특성
김종탁 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 1998, Vol.11 No.6 465-471 (7 pages)
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플라즈마 보조 유기금속 화학기상 증착법에 의한 MCN(M=Ti, Hf) 코팅막의 저온성장과 그들의 특성연구
부진효, 허철호, 조용기, 윤주선, 한전건, Boo. Jin-Hyo, Heo. Cheol-Ho, Cho. Yong-Ki, Yoon. Joo-Sun, Han. Jeon-G. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 13 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2006, Vol.15 No.6 563-575 (13 pages)
DC 플라즈마 보조 유기금속 화학기상 증착법 (PEMOCVD)으로 합성하였다. 본 연구에서는 플라즈마 특성을 서로 비교하기 위하여 수소$(N_2)$와 헬륨/수소$(He/H_2)$ 혼합기체를 각각 운반기체로 사용하였으며 전구체 이외에 질소$(N_2)$와 암모니아$(NH_3)$ 기체를 반응기체로 사용하여 서로 다른 플라즈마 화학조건에서 얻어지는 박막내의 탄소함유량(C Content)의 변화를 비교하여 탄소가 가장 적게 함유된 저온 코팅막 합성공정을 찾으려고 하였다. 이를 위하여 증착시 서로 다른 pulsed bias 전압과 기체종류 하에서 여기된 플라즈마... -
마이크로파 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)과 저압 화학기상증착법(LPCVD)을 이 용한 실리콘 기판 위에서의 텅스텐 박막증착
김성훈, 송세안, 김성근 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1992, Vol.1 No.2 277-285 (9 pages)
플라즈마 화학기상증착법과 저압 화학기상증착법을 사용하여 실리콘 기판 위에 텅 스텐 박막을 증착하였다. 반응기체로 WF6를 사용하였으며 환원기체로는 SiH4를 사용하였다. 플라즈마 증착법에 의한 텅스텐 박막의 성장은 환원기체의 유무에 상관없이 주로 기상 반응 에 의한 텅스텐 덩어리들의 증착에 의하여 이루어졌으며 비교적 균일도가 낮은 박막표면을 이루었다. 저압 화학증착법의 경우 환원기체를 사용하지 않았을 때에는 실리콘 기판에 의한 제한된 환원반응에 의해 텅스텐이 증착되었으나, 환원기체를 사용했을 때에는... -
플라즈마 화학기상 증착법에 의해 증착된 B이 첨가된 ZnO 박막의 전기적 특성
최준영, 조해석, 김영진, 이용의, 김형준 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1995, Vol.4 No.1 85-90 (6 pages)
본 연구에서는 투명 전극으로의 응용을 목적으로 PECVD법에 의해 증착된 B이 첨가된 ZnO 박막의 전기 및 광학적 특성을 살펴보았다. B을 첨가하지 않은 ZnO 박막은 비저항이 수 $Omega$-cm 정도의 값을 가지고 있었으며 시간에 따른 비저항의 변화가 컸으나, 2% B2H6을 5-16sccm의 유량범위에서 첨가한 경우에는 5-9X10-2 $Omega$-cm의 비저항을 가지고 시간 경과에 따른 비저항의 변화가 아주 작은 ZnO 박막을 얻을 수 있었다. Van der Pauw법에 의한 Hall 계수의 측정 결과에 의하면, B을 첨가하지 않은 ZnO 박막의 전자 농도는... -
플라즈마 화학기상 증착방식으로 성장시킨 비정질 실리콘 카바이드 박막의 열처리 효과에 관한 특성분석
박문기, 김용탁, 최원석, 윤대호, 홍병유 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2000, Vol.13 No.10 817-821 (5 pages)
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유도결합 플라즈마 화학기상증착법에 의해 활성화된 탄소원자를 이용한 Ni/SiO2/Si 기판에서 그래핀 성장
람반낭, 김의태, Nang. Lam Van, Kim. Eui-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2013, Vol.23 No.1 47-52 (6 pages)
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유도결합 플라즈마 화학기상증착법을 이용한 Ni/SiO2/Si 기판에서 그라핀 제조
박영수, 허훈회, 김의태, Park. Young-Soo, Huh. Hoon-Hoe, Kim. Eui-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2009, Vol.19 No.10 522-526 (5 pages)
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원거리 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 증착한 비정질 탄화규소 막의 증착조건에 따른 특성 및 증착 균일도 변화
조성혁, 최유열, 최두진, Cho. Sung-Hyuk, Choi. Yoo-Youl, Choi. Doo-Jin 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 6 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2010, Vol.47 No.3 262-267 (6 pages)
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ECR 플라즈마 화학기상증착법에 의한 0.12nm $ extrm{SiO}_2$ 환산두계를 갖는 Pb(Zr, Ti)$ extrm{O}_3$유전박막의제조
김재환, 김용일, 위당문, 이원종, Kim. Jae-Hwan, Kim. Yong-Il, Wi. Dang-Mun, Lee. Won-Jong 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.8 635-639 (5 pages)
PZT 박막을 증착하였다. 기판 온도가 46$0^{circ}C$ 이하일 경우에는 페로브스이트 상과 제2상으로 이루어진 박막이 성장하였으며 기판온도가 47$0^{circ}C$이상일 때에는 페로브스카이트 단일상의 PZT 박막이 성장하였다. 49$0^{circ}C$에서 매우 얇은 페로브스카이트의 PZT 박막을 증착한 후 $650^{circ}C$에서 1분간 raped thermal annealing(RTA) 처리한 결과 박막의 조성과 결정성에는 거의 변화가 없었으나 박막의 전하 저장 밀도는 크게 향상되었다. 이는 RTA 처리에 의한 저유전 계면층의 소멸이 주된 이유라고 판단된다. 열처리... -
플라즈마 화학기상증착에 의해 성장된 유사 다이아몬드 나노복합체 박막의 특성 평가
양원재, 오근호 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2003, Vol.13 No.1 36-40 (5 pages)
$CH_4/(C_2H_5O)_4Si/H_2$/Ar가스 혼합물을 출발 반응원료로 하여 플라즈마 화학기상증착법으로 Si 기판 위에 유사 다이아몬드 나노복합체(diamond-like nanocomposite, DLN) 박막을 증착하였다. 성장된 막의 화학구조와 미세구조를 확인하였으며 막의 마모특성을 평가하였다. 증착된 DLN 막은 다이아몬드와 유사한 a-C:H 구조와 실리카와 유사한 a-Si:O 구조가 네트워크 형태로 구성되어 있음을 확인하였으며 극도로 낮은 마모계수와 마모속도를 나타내어 내마모 코팅용 보호막으로 의 응용에 적합한 것으로 나타났다. -
플라즈마 화학기상증착법으로 성장시킨 수소화 비정질 규소박막의 결정화
김용탁, 장건익, 홍병유, 서수정, 윤대호 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2001, Vol.11 No.2 56-59 (4 pages)
증착된 비정질 실리콘 박막은 Si(100)웨이퍼와 유리에 각각 증착되었다. 본 연구에서는 RF power가 미세결정 실리콘 박막의 광학적 밴드갭($E_g$),투과도 그리고 결정성에 미치는 영향을 조사하였다 라만 분광분석 결과 미세결정 실리콘은 480과 520$cm^{-1}$에서 두개의 피크 즉, 비정질과 미세결정의 혼상으로 구성되어 있음을 확인할 수 있었고 XRD분석에서도 (111)방향의 피크가 RF power 300Ｗ에서 관찰되었다. 또한, 박막의 투과도는 자외/가시부 분광 광도계를 이용하였으며, 적외 흡광 스펙트럼을 사용하여 실리콘과 결합하고... -
마이크로웨이브 플라즈마 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브의 성장특성
최성헌, 이재형, Choi. Sung-Hun, Lee. Jae-Hyeoung 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2006, Vol.19 No.6 501-506 (6 pages)
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유도결합형 플라즈마 화학기상증착법에서 탄소나노튜브의 수직성장과 전계방출 특성 향상 연구
김광식, 류호진, 장건익 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2002, Vol.15 No.8 713-719 (7 pages)
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플라즈마 화학기상증착법으로 성장시킨 탄소나노튜브의 미세구조 분석
윤종성, 윤존도, 박종봉, 박경수, Yoon. Jongsung, Yun. Jondo, Park. Jongbong, Park. Kyeongsu 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2005, Vol.15 No.4 246-251 (6 pages)
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마이크로파 플라즈마 화학기상증착법에 의한 HOD 박막 성장
이광만, 최치규 한국반도체및디스플레이장비학회 반도체및디스플레이장비학회지 6 Pages
한국반도체및디스플레이장비학회 반도체및디스플레이장비학회지 2004, Vol.3 No.3 45-50 (6 pages)
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As 이온 주입된 비정질 탄소 박막의 마이크로플라즈마 화학기상증착법에 의한 자동 어닐링 효과에 관한 연구
조의식, 권상직, Cho. E.S., Kwon. S.J. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2013, Vol.22 No.1 31-36 (6 pages)
마이크로플라즈마 화학기상증착법(microwave plasma enhanced chemical vapor deposition, MPCVD)에 의하여 형성된 비정질 탄소 박막의 효율적인 도핑 공정을 위하여, 비정질 탄소 박막의 성장 직전 nucleated seed 상태의 기판 혹은 일부 성장된 박막 위에 비소(As) 이온을 이온 주입하였고 그 직후 다시 MPCVD에 의하여 박막을 성장시켰다. MPCVD에 의한 성장 자체가 약 $500{sim}600^{circ}C$ 온도에서의 어닐링 공정을 대체할 수 있으므로, 기존의 이온 주입 후 별도의 어닐링 공정과 비교 시 간략화된 공정으로도 어닐링 효과가... -
전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학적 기상 증착 장치에서의 수소플라즈마 특성연구
김우준, 구자춘, 황기웅 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1994, Vol.3 No.3 331-336 (6 pages)
chemical vapor deposition (ECRPCVD) 장치에서 공정변 수에 따른 수소플라즈마 특성을 조사하였다. 균일한 플라즈마 밀도를 얻기 위하여 전자공명층이 기판과 평행하게 형성되도록 정자장 코일을 설계하였으며 기판근처에 부가적으로 형성된 multicusp field 에의 해서 기판 근처에서의 플라즈마 균일도를 개선시킬수 있었다. 또한 절연된 공진실과 기판에의 독립적인 DC bias에 의해서 기판으로 입사하는 하전입자들이 에너지와 유량을 조잘할 수 있었다. 이러한플라즈마 특성을 갖는 ECRPCVD장치를 다양한 특성을 갖는 박막 합성에... -
플라즈마 화학증착법으로 제조된 수소화된 비정질 탄화실리콘 박막의 물성에 대한 붕소의 도핑효과
김현철, 이재신 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2001, Vol.10 No.1 104-111 (8 pages)
$SiH_4$, $CH_4$, $B_2H_6$ 혼합기체를 이용하여 플라즈마 화학증착법으로 비정질 탄화실리콘(a-SiC:H) 박막을 증착하였다. 기상 doping 농도를 0에서 $2.5 imes10^{-2}$ 범위에서 변화시켜 얻은 박막의 물성을 SEM, XRD, Raman 분광법, FTIR, SIMS, 광흡수도와 전기전도도 분석을 통하여 살펴보았다. $B_2H_6$/($CH_4+SiH_4$) 기체유량비가 증가할수록 붕소의 도핑효율와 미세결정성은 감소하였다. 증착 중 $B_2H_6$ 기체가 첨가됨에 따라 비정질 탄화실리콘 박막의 Si-C-H 결합기의 강도는 감소하였으며, 이의 영향으로 박막내의... -
원거리 플라즈마 화학증착에 의한 실리콘 산화막의 물성
강진규, 박영배, 이시우 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1994, Vol.3 No.4 426-433 (8 pages)
원거리 플라즈마 화학증착 반응기에서 SiH4-N2O 로부터 산화막을 증착하고 막의 화학적 조성, 구조, 전기적인 특성 등을 평가하였다. 증착온도는 실온에서 35$0^{circ}C$사이의 저온이었다. 증착온도, 플라즈 마 전력, 반응기체의 조성 등이 막의 물성에 영향을 주는 것으로 나타났으며 나아가서는 산화막과 규소 -산화막 계면의 전기적인 특성에도 영향을 주었다. 높은 전력 및 SiH4-N2O 비에서 막의 물성이 나빠지 는 것으로 나타났으며 이 경우 막의 불순물 함량이 높고 또한 기상에서 입자가 형성되는 것이 관찰되었 -
furnace 열처리와 질소 플라즈마 처리에 의한 유기화학증착법을 이용한 선택적 구리 증착
곽성관, 정관수, Gwak. Seong-Gwan, Jeong. Gwan-Su 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2000, Vol.37 No.3 27-33 (7 pages)
위해서 BPSG(Borophosphosilicate glass) 위에 형성한 TiN 패턴을 로(furnace) 열처리와 질소 플라즈마 처리를 한 후 유기 화학 기상 증착법(MOCVD； Metal Organic Chemical Vapor Deposition)으로 구리 박막을 증착하였다. 먼저 650℃∼750℃에서 열처리한 후 150℃에서 구리 박막을 증착시켰을 때 750℃에서 열처리한 경우 TiN 표면 위에만 선택적으로 구리 증착이 일어났다. 질소 플라즈마 처리를 한 경우도 마찬가지로 BPSG 위에 구리 핵 형성이 억제됨을 알 수 있었다. 플라즈마 처리 온도를 증가시킬수록 BPSG 위의 구리 핵 형성이... -
RF 헬리콘 플라즈마를 이용한 회학기상 증착기의 제작
신재균, 현준원, 박상규 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 1998, Vol.11 No.8 607-612 (6 pages)
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마이크로웨이브 플리즈마 화학기상증착에 의한 다이아몬드 박막의 성장 관찰을 위한 분광 Ellipsometry의 이용
홍병유 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 9 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1998, Vol.8 No.2 240-248 (9 pages)
의한 방법이다. 특히 플라즈마 화학기상증착(Plasma-Enhanced CVD)기술에 의한 다이아몬드 박막응용은 그 공정에 대한 세부 조정을 통하여 더욱 향상시킬 수 있다. 다이아몬드 박막증착의 경우 중요 변수들은 다이아몬드 필름이 증착되는 기판(substrate)의 온도, $CH_4/H_2$가스비율, 전체가스 압력 및 가스 excitation에너지 등이다. 분광 ellipsometry는 다이아몬드 필름 증착과 관련된 극단적인 환경에서도 물리적인 접촉이나 만들어지는 샘플의 손상없이도 필름자체의 여러 성질뿐만 아니라 기초 샘플의 온도까지도 결정할 수 있는... -
$RuO_2$ 및 Pt 기판에서 $PbTiO_3$박막의 화학기상 증착특성에 관한 연구
정수옥, 이원종, Jeong. Su-Ok, Lee. Won-Jong 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2000, Vol.10 No.4 282-289 (8 pages)
전자싸이클로트론공명-플라즈마 화학기상증착법으로 $PbTiO_3$박막을 증착하였다. $RuO_2$ 기판과 Pt 기판 위에 금속유기화합물 원료기체 유량 및 증착온도에 따라서 $PbTiO_3$박막의 증착특성을 연구하였다. $RuO_2$ 기판 위에서 Pt 기판에 비하여 Pb-oxide 분자의 잔류시간이 상대적으로 크고, 페로브스카이트 핵생성 밀도는 상대적으로 작으며, 단일한 페로브스카이트 상의 $PbTiO_3$ 박막을 얻을 수 있는 공정범위가 Pt 기판보다 좁았다. $PbTiO_3$ 박막 증착 전 Ti-oxide 씨앗층을 도입함으로써 $RuO_2$ 기판에서도 페로브스카이트... -
Hot-filament 화학기상 증착법에 의한 탄소나노튜브의 성장 및 표면 특성
최은창, 김정태, 박용섭, 최원석, 홍병유, Choi. Eun-Chang, Kim. Jung-Tae, Park. Yong-Seob, Choi. Won-Seok, Hong. Byung-You 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2007, Vol.16 No.3 187-191 (5 pages)
실리콘 웨이퍼 위에 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여 Ni 촉매 층을 증착시키고, $NH_3$와 $C_2H_2$ gas를 이용하여 탄소나노튜브를 성장시켰다. Hot-filament 플라즈마 화학기상 증착법으로 탄소나노튜브의 성장 온도는 350, 450, 550, $650^{circ}C$로 변화시켰으며, 성장되어진 탄소나노튜브는 field emission scanning electron microscope(FESEM) 분석을 하여 관찰하였고, 접촉각 측정법을 이용하여 탄소나노튜브 층의 특성을 분석하였다. 결과적으로 성장 온도는 탄소나노튜브의 성장 특성을 변화시키는 중요한 요소이다. -
화학기상증착 진공공정의 실시간 진단연구
전기문, 신재수, 임성규, 박상현, 강병구, 윤진욱, 윤주영, 신용현, 강상우, Jeon. Ki-Moon, Shin. Jae-Soo, Lim. Sung-Kyu, Park. Sang-Hyun, Kang. Byoung-Koo, Yune. Jin-Uk, Yun. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.2 86-92 (7 pages)
한 센서인 self-plasma optical emission spectroscopy (SPOES)를 이용해 화학기상증착 진공공정을 진단하였다. 본 연구에서 사용된 증착공정 장비는 silane 가스를 이용한 silicon plasma enhanced chemical vapor deposition과 borophosphosilicate glass 증착장비이다. 두 장비의 증착 또는 클리닝 조건에서의 배출되는 오염입자와 배기가스를 개발된 센서를 이용해 공정상태를 실시간으로 진단하는 것과 개발된 센서의 센싱 능력을 검증하고자 하는 목적으로 연구가 진행되었다. 개발된 센서는 장비 배기구 설치되었으며, 공정압력,...