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HMDSO와 산소를 이용한 PECVD 증착 $SiO_xC_y$필름의 특성연구
김성룡, 이호영 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2001, Vol.10 No.2 182-188 (7 pages)
폴리카보네이트 시트의 내마모성을 향상시키기 위하여 HMDSO 모노머와 산소를 사용하여 플라즈마 기상증착시킨 $SiO_xC_y$ 필름의 특성을 분석하였다. RF출력, 산소투입량, 수소투입량을 변화시키면서 각 증착조건에 따른 생성된 필름의 화학결합구조, 원소조성, 표면조도, 헤이즈 특성에 미치는 영향을 FTIR, XPS, AFM, Hazemeter를 이용하여 알아보았다. HMDSO와 산소를 사용한 박막의 증착은 100 nm/min이상의 높은 증착속도를 가졌고,증착실험에서 얻은 증착필름의 원소조성을 XPS를 이용하여 구한 결과, 종전의 다른 유기실리콘계... -
저손실 광도파로 제작을 위해 PECVD 법에 의해 증착된 SiON/SiO2 다층박막
김용탁, 김동신, 윤대호 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2004, Vol.41 No.3 197-201 (5 pages)
플라즈마 화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 Si(100) 웨이퍼에 silicon oxide(SiO$_2$)와 silicon oxynitride(SiON) 후막을 SiH$_4$, $N_2$O, $N_2$가스를 혼합하여 증착하였다. RF power와 rf bias power의 변화에 따른 SiO$_2$ 막과 SiON 막의 특성변화에 대하여 고찰하였다. RF power와 rf bias power가 증가함에 따라 굴절률은 감소하는 경향을 나타내었으며, 막의 굴절률은 1552 nm에서 1.4493-1.4952까지 변화하였다. 이와 같이 rf power가 증가함에 따라 굴절률이 감소하는 이유는 oxygen의 량이 증가하고 nitrogen의 량이... -
PECVD법에 의해 증착된 SiO2 후막의 광학적 성질 및 구조적 분석
조성민, 김용탁, 서용곤, 윤형도, 임영민, 윤대호, Cho. Sung-Min, Kim. Yong-Tak, Seo. Yong-Gon, Yoon. Hyung-Do, Im. Young-Min, Yoon. Dae-Ho 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2002, Vol.39 No.5 479-483 (5 pages)
저온($320^{circ}$C)에서 $SiH_4$와 $N_2O$ 가스의 혼합을 통해 플라즈마화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 실리카 광도파로의 클래딩막으로 사용되는 $SiO_2$ 후막을 제조하였으며, 공정변수로는 $N_2O/SiH_4$ 유량비와 RF power에 변화를 주었다. 증착된 시편은 $N_2$ 분위기의 열처리로에서 $1050{circ}$에서 2시간동안 열처리하였다. $N_2O/SiH_4$ 유량비가 증가함에 따라 증착속도는 $9.4~2.9{mu}m /h$까지 감소하였으며, RF power가 증가함에 따라 증착속도는 $4.7~6.9{mu}m /h$까지 증가하였다. 두께 및 굴절률은 Prism Coupler를... -
PECVD법에 의해 증착된 $SiO_2$후막 특성에서 $N_2O$/$SiH_4$Flow Ratio와 RF Power가 미치는 영향
조성민, 김용탁, 서용곤, 임영민, 윤대호 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2001, Vol.38 No.11 1037-1041 (5 pages)
저온(32$0^{circ}C$)에서 SiH$_4$와 $N_2$O 가스의 혼합을 통해 플라즈마화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 실리카 광도파로의 클래딩막으로 사용되는 SiO$_2$후막을 제조하였다. 증착변수가 SiO$_2$후막의 특성에 미치는 영향을 살펴보기 위해 $N_2$O/SiH$_4$flow ratio와 RF power에 변화를 주었다. $N_2$O/SiH$_4$ flow ratio가 감소함에 따라 증착속도는 2.9 $mu extrm{m}$/h), 굴절률은 thermal oxide의 굴절률(n=1.46)에 근접하였다. -
SnO2 박막의 전기적 성질과 결함과의 관계
강종욱, 방태환, 정진 인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 8 Pages
인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 2017, 제 7권 제 8호 27 297-304 (8 pages)
RF 스퍼터 방법을 이용하여 산화주석 박막을 증착 하였다. 스퍼터 쳄버의 증착 온도는 300도로 고 정하고 외부에서 산소를 쳄버내로 흘려주어 실리콘(100) 기판위에 산소층을 만들었다. 쳄버내 파워의 세기를 100, 150, 200W 로 변화시켜서 각각의 SnO2박막을 만들었다. 증착된 산화주석 박막의 구조를 알아보기 위하여 X-선 회절장치를 이용하여 산화주석 박막을 분석하였다. X선 회절 결과에서 SnO2박 막은 공급된 파워의 세기가 증가되었을 때 박막의 주성장면인 (110)면, (211)면, (101)면등 모든 성장면 의 세기가 일정한 변화를... -
N2-H2S-H2O 혼합 가스 분위기에서 Cr 코팅한 Fe-18%Cr-12%Ni 강의 고온 부식거동 연구
김민정, 정석우, 황상연, 이동복 한국열환경공학회 열환경공학 9 Pages
한국열환경공학회 열환경공학 2020, 제 15권 1호 2 11-19 (9 pages)
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전자현미경에 의한 산화 아연 박막의 성장에 관한 연구
정진(Jin Jeong) 인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 8 Pages
인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 2018, 제 8권 제 7호 49 497-504 (8 pages)
진다. 박막의 생성은 온도조건, 증착시간, 유입되는 가스의 양, 그리고 박막을 만드는 공간의 진공상태가 입자의 형상을 각진 모습부터 둥근 형태등의 형상을 만들 수 있다. 본 연구에서는 스퍼터내 내부 환경을 변화시킨 후 실리콘 금속기판과 유리 기판위에 산화아연을 성장시켜서 박막의 입자 성장이 어떻게 변화되는가를 관찰 하였다. 성장된 박막은 전자 현미경을 통하여 관찰하였다. 전자현미경을 통해서 박막의 표면을 관찰한 결과 입자의 형상은 각진 모습, 원형모습, 입자들이 뭉쳐져 성장이 되는 다양한 모습등이 관찰 되었고,... -
금속 코팅된 탄소나노튜브의 전계 방출 특성 및 신뢰성 향상
우형수, 박상식, 김병환, Uh. H.S., Park. S., Kim. B. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.6 436-441 (6 pages)
Ni, 6% Co alloy) 촉매를 사용하여 $450^{circ}C$의 온도에서 플라즈마 화학기상 증착법으로 성장시켰다. 성장된 탄소나노튜브의 밀도 제어를 위해 성장 후 질소 플라즈마로 일부를 식각한 후 티타늄(Ti) 금속을 탄소나노튜브 표면에 5~150 nm 두께로 스퍼터링 증착하였다. 5 nm로 티타늄을 탄소나노튜브 표면에 코팅한 경우, 코팅 전에 비해 6 V/${mu}m$의 전계에서 전류밀도가 4배 이상 증가되었으며, 전계 방출 전류의 요동(fluctuation) 또한 40% 이상 감소됨을 확인할 수 있었다. 이는 티타늄의 일함수가 4.3 eV로 탄소나노튜브의 5... -
Very High Frequency Multi Hollow Cathode PECVD 장치의 수치모델링
주정훈, Joo. Jung-Hoon 한국진공학회 韓國眞空學會誌 10 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.5 331-340 (10 pages)
초고주파 다중 중공 음극 방전을 이용한 플라즈마 화학 기상 증착 장치를 3차원 수치 모델링하였다. 기본적인 방전 특성을 파악하기 위하여 알곤 플라즈마를 40 MHz, 100 V, 133.3 Pa (1 Torr)의 조건에 대해서 계산하였다. 6 mm 직경의 홀을 20 mm 간격으로 배열하였고 전극 간격은 10 mm를 가정하였다. 피크 플라즈마 밀도는 홀의 하부 중앙에서 $5{ imes}10^{11}#/cm^3$ 였으며 전자 온도는 접지 상태로 가정한 기판과 챔버 벽면 주위에서 가장 높았다. 준안정 상태에 의한 2단 이온화 속도는 전자 충돌에 의한 직접 이온화보다 10배... -
MPCVD를 이용하여 밀리미터 길이로 수직 정렬된 탄소나노튜브의 합성
김유석, 송우석, 이승엽, 최원철, 박종윤, Kim. Y.S., Song. W.S., Lee. S.Y., Choi. W.C., Park. C.Y. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.3 229-235 (7 pages)
본 연구에서는 철(Fe)을 촉매금속으로 사용하고 마이크로웨이브 플라즈마 화학기상증착법(microwave plasma CVD)을 이용하여 얇은 다중벽 탄소나노튜브를 합성하였다. 촉매금속으로 사용된 철은 직류 마그네트론 스퍼터를 사용하여 증착하였으며, 탄소나노튜브의 합성에는 플라즈마 공급원인 수소($H_2$), 탄소 공급원인 메탄($CH_4$)과 함께 미량의 산소($O_2$) 또는 아르곤(Ar)과 함께 물을 수증기의 형태로 사용하였다. 산소 또는 수증기의 추가에 따른 탄소나노튜브의 성장률의 변화를 주사전자현미경으로 조사하였으며, 결정구조를...
