RF 스퍼터 방법을 이용하여 산화주석 박막을 증착 하였다. 스퍼터 쳄버의 증착 온도는 300도로 고 정하고 외부에서 산소를 쳄버내로 흘려주어 실리콘(100) 기판위에 산소층을 만들었다. 쳄버내 파워의 세기를 100, 150, 200W 로 변화시켜서 각각의 SnO2박막을 만들었다. 증착된 산화주석 박막의 구조를 알아보기 위하여 X-선 회절장치를 이용하여 산화주석 박막을 분석하였다. X선 회절 결과에서 SnO2박 막은 공급된 파워의 세기가 증가되었을 때 박막의 주성장면인 (110)면, (211)면, (101)면등 모든 성장면 의 세기가 일정한 변화를 보였다. 산화주석 박막의 표면 사진에서 공급된 파워의 세기가 증가됨에 따라 산화주석 박막의 형상은 원형 형상을 보였고, 공급된 파워 세기가 증가됨에 따라서 박막 표면의 입자 사이즈 크기도 증가되었다. 공급된 파워의 세기가 증가될 때 SnO2박막의 홀 표면 전하 밀도 는 2.646×1014, 3.071×1014, 1.747×1015 cm-2 으로 증가되어서 공급된 파워의 세기가 박막내의 수송 전 하 밀도에 영향을 주었다. 박막의 증착환경의 변화가 박막내의 표면 형상과 전기적 성질에 영향을 미 치는 것으로 확인 되었다.
SnO2 thin film was deposited using Radio Frequency sputtering method. The deposition temperature of the sputter chamber was fixed at 300 degrees, and oxygen was flowed into the chamber from the outside to form an oxygen layer on the silicon (100) substrate. In order to investigate the structure of the deposited tin oxide thin film, the SnO2 thin film was analyzed using an X-ray diffractometer. X-ray diffraction showed (110), (211) and (101) plane increased with increasing supplied power. As the power supplied was increased, the shape of the thin film showed a circular shape, and the particle size of the thin film was increased as the power intensity was increased. The hall carrier density increased to 2.646×1014, 3.071×1014, 1.747×1015 cm-2, respectively, as the intensity of supplied power was increased, so that the intensity of power supplied affected the transport charge density in the thin film. It is confirmed that the change of the deposition environment of the thin film affected the surface shape and electrical properties of the thin film.
1. 서론 2. 실험 방법 및 결과 3. 결론 References
