- GaAs FET 마이크로파 증폭기 (분배증폭기에서 대역폭을 증가시키는 방법을 중심으로)
- ㆍ 저자명
- 장익수
- ㆍ 간행물명
- 電子工學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1984년|21권 1호|pp.51-56 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한전자공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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마이크로파 분배증폭기에서 게이트선로에서 감쇠정수를 줄여서 대역폭을 넓히기 위하여 FET 칩에 직렬 케페시터를 삽입할 때 대역폭이 증가되는 관계를 유도하고 이때 분배증폭기의 설계방법을 제시한다. 실제 예로서 300μ 게이트 FET로써 4개 소자를 썼을 때 2-12GHz의 대역폭을 직렬 케페시터를 삽입하여서 2-200Hz까지의 균일한 전력이득을 얻었다.
This paper describes the analysis and design of a GaAs FET distributed amplifier connecting a series capacitor to get a super wide bandwidth by reducing the gate line attenuation constant. In this approach a design example with a 300$mu$ gate length FET devices is presented, and the abtained results are; that without series capacitors the bandwidth is 2-12 GHz, but with capacitors 2-20 GHz in flat gain.