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$SnO_2$/a-Se/AI 소자의 특성
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  • $SnO_2$/a-Se/AI 소자의 특성
  • Characteristics of $SnO_2$/a-Se/AI sample
저자명
박계춘,정운조,유용택
간행물명
電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
권/호정보
1994년|7권 1호|pp.7-14 (8 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Structural and optical characteristics in $SnO_2$/a-Se/Al sample by aging variation and applying constant voltage had been investigated. a-Se was varied with monoclinic structure and its surface was greatly exchanged. Its capacitance was first decreased and then increased and its photo-current, photo-voltage and photo-capacitance were increased gradually with day and applying voltage. From the results, crystallization of a-Se and dopant trap level formation had been identified. Also, it was acknowledged $SnO_2$/a-Se/Al sample is useful in photovoltaic and solid thin film cell.