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반절연성 GaAs에서 열자극 전류에 관한 연구
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  • 반절연성 GaAs에서 열자극 전류에 관한 연구
  • A study on thermally stimulatede current in semi-insulating GaAs
저자명
배인호,김기홍,김인수,최현태,이철욱,이정열
간행물명
電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
권/호정보
1994년|7권 5호|pp.383-388 (6 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Deep levels in semi-insulating GaAs were observed by thermally stimulated current(TSC) measurement In the temperature ranges of 100-300K Tl(E$\_$c/-0.18eV), T2(E$\_$c/-0.20eV), T3(E$\_$c/-0.31eV), T4(E$\_$c/-0.40eV), and T5(E$\_$c/-O.43eV) traps have been observed. The TI, T2, and T5 traps seem to be related to the V$\_$As/, V$\_$Ga/-complex, and As$\_$Ga/$^$++/ respectively. T4 trap is considered with respect to V$\_$Ga/-V$\_$As/ complex.