- $CdIn_{2}Te_{4}$ 단결정 성장과 전기적 특성
- ㆍ 저자명
- 홍광준
- ㆍ 간행물명
- 한국결정성장학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1996년|6권 1호|pp.32-43 (12 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국결정성장학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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$CdIn_{2}Te_{4}$ 단결정을 Bridgman방법으로 성장하였다. 성장된 $CdIn_{2}Te_{4}$ 단결정은 분말법으로 X-ray diffraction을 측정하여 tetragonal로 성장되었음을 알 수 있었고 격자상수는 Nelson-Riley 보정식을 이용하여 외삽법으로 구한 결과 $a_{0}$는 $6.215{AA}$, $c_{0}$는 $12.390{AA}$이었다. $CdIn_{2}Te_{4}$ 결정이 단결정임을 알아보기 위해 Laue 배면 반사법으로 측정하였는데 c축에 수평한면은 (110), c축에 수직한 면은 (001)으로 성장되었음을 알 수 있었다. 또한 van der Pauw방법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자 농도와 이동도를 구하였으며, c축에 수직한 시료의 carrier density는 $8.75{ imes}10^{23}electrons/m^{3},;mobility는;3.41{ imes}10^{-2}m^{2}/V.s$였으며 c축에 평행한 시료의 carrier density는 $8.61{ imes}10^{23}electrons/m^{3},;mobility는;2.42{ imes}10^{-2}m^{2}/V.s$였다. 또한 Hall 계수가 양의 값이여서 $CdIn_{2}Te_{4}$ 단결정은 p형 반도체임을 알 수 있었다.
A $CdIn_{2}Te_{4}$ single crystal was grown by modified veritical bridgman method. The $CdIn_{2}Te_{4}$ single crystal was evaluated to be tetragonal by the powder method. The $CdIn_{2}Te_{4}$ single crystal was confirmed to be grown with its c axis along the lengthe of the boule by the Laue reflection method. Hall effect of $CdIn_{2}Te_{4}$ single crystal was estimated by van der pauw method from 293 K to 30 K. Hall data of the sample perpendicular to c axis was $n=8.75{ imes}10^{23}electrons/m^{3},;R_{H}=7.14{ imes}10^{-5}m^{3}/C,;{sigma}=176.40{omega}^{-1}m^{-1},;{$mu}=3.41{ imes}10^{-2}m^{2}/V.s$ and the sample parallel to c axis was $n=8.61{ imes}10^{23}electrons/m^{3},;R_{H}=7.26{ imes}10^{-5}m^{3}/C,;{sigma}=333.38{omega}^{-1}m^{-1};and;{$mu}=2.42{ imes}10^{-2}m^{2}/V.s$</TEX> for room temperature. The value of Hall coefficient on sample perpendicular or parallel to c axis were positive. There $CdIn_{2}Te_{4}$ single crystal was p-type semiconductor.