- Ti/SiC(4H) 쇼트키 장벽 다이오드의 전기적 특성
- ㆍ 저자명
- 박국상,김정윤,이기암,장성주
- ㆍ 간행물명
- 한국결정성장학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1997년|7권 3호|pp.487-493 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국결정성장학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
SiC(4H) 결정에 Ti을 열증착하여 Ti/SiC(4H) 쇼트키(Schottky) 장벽 다이오드를 만들었다. SiC(4H)의 주개농도(donor concentration)는 전기용량-전압(C-V) 측정으로부터 $2.0{ imes}10^{15}{ extrm}{cm}^{-3}$이었으며, 내부전위(built-in potential)는 0.65 V이었다. 전류-전압(I-V) 특성으로 부터 다이오드의 이상계수(ideally factor)는 1.07이었으며, 역방향 항복전장(breakdown field)은 약 $1.7{ imes}10^3V/{ extrm}{cm}$이었다. 상온에서 $140^{circ}C$까지 온도변화에 따라 측정된 포화전류로 부터 구한 전위장벽(potential barrier)은 0.91 V이었는데, 이는 C-V 특성으로 부터 구한 전위장벽과 거의 같았다.
Ti/sic(4H) Schottky barrier diodes were fabricated. The donor concentration and the built-in potential obtained by capacitance-voltage(C-V) measurement was about $2.0{ imes}10^{15}{ extrm}{cm}^{-3}$ and 0.65 V, respectively. The ideality factor of 1.07 was obtained from the slope of current-voltage(I-V) characteristics at low current density. The breakdown field under the reverse bias voltage was about $1.7{ imes}10^3V/{ extrm}{cm}$ and was very high. The barrier height of Ti for SiC(4H) was 0.91 V, which was determined by the analysis of the saturation current-temperature and the C-V characteristics.