- 직류 반응성 sputtering법으로 제막된 ZnO:Al 박막의 물성에 미치는 증착조건 및 타겟의 영향
- ㆍ 저자명
- 유병석,오근호
- ㆍ 간행물명
- 한국결정성장학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1998년|8권 4호|pp.592-598 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국결정성장학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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ZnO($Al_2O_3;2%$ 2% doped) 산화물 타겟과 금속 Zn(Al 2% doped) 타겟을 사용하여 반응성 직류 마그네트론 스퍼터링법으로 산소 가스 및 인가 전력을 조절하면서 AZO(Aluminum doped Zine Oxide) 막을 증착하였다. 비저항과 평균 투과율을 고려할 때 최적의 투명전도성을 보이는 조건은 산화물 타겟의 경우 산소가스의 비가 $0.5{ imes}10^{-2}~1.0{ imes}10^{-2}$범위이며, 금속 타겟의 경우 인가전력 0.6kW에서는 0.215~0.227, 1.0kW에서는 0.305~0.315이었다. 각 최적조건에서 제막된 AZO 막의 비저항은 $1.2~1.4{ imes}10^{-3} {Omega}{cdot}cm$cm으로 타겟에 의한 차이는 없었다.
AZO(Aluminum doped Zinc Oxide) thin films were fabricated by reactive DC magnetron sputtering method using zinc metal target (Al 2%) and zinc oxide target ($Al_2O_3;2%$) respectively. The intermediate condition with optimum transmittance and conductivity was obtained by controlling the sputtering parameters. Oxygen gas ratio for this condition was $0.5{ imes}10^{-2}~1.0{ imes}10^{-2}$ in oxide target and. In case of metal target, this optimum oxygen gas ratio at the applied power of 0.6 kW and 1.0 kW was 0.215~0.227 and 0.305~0.315, respectively. The resistivity of AZO film deposited was obtained $1.2~1.4{ imes}10^{-3} {Omega}{cdot}$cm as deposited state regardless of target species.