- MBE 법으로 성장시킨 $Al_xGa_{1-x}As$ 에피층의 Photoreflectance 특성에 관한 연구
- ㆍ 저자명
- 이정렬,김인수,손정식,김동렬,배인호,김대년
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1998년|7권 4호|pp.341-347 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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MBE법에 의해 성장된 AlxGa1-xAs 에피층의 특성을 photoreflectance(PR) 측정으로 분석하였다. Low power Franz Keldysh(LPFK)를 만족하는 GaAs 완충층에 의한 Frang-Keldysh Oscillation(FKO) 분석에서 띠간격에너지(E0) 값은 1.415eV, 계면 전기장(Ei) 은 1.05$ imes$104V/cm, 운반자 농도(Ns)는 $1.3{ imes}10^{15} extrm{cm}^{-3}$이였다. PR상온 스펙트럼 분석에서 Eo(AlxGa1-xAs) 신호 아래 $A^*$피크는 시료 성장시 존재하는 불순물 carbon에 의한 것으로 완충층 GaAs보다 다소 PR신호 세기가 낮고 왜곡된 신호를 나타내었다. 또한, GaAs완충층 의 트랩 특성시간은 약0.086ms정도이며, 1.42eV 부근 두 개의 중첩된 PR신호는 화학적 식 각으로 GaAs의 기판에 의해 나타나는 3차 미분형 신호와 GaAs완충층에 의해 나타나는 FKO신호가 중첩되어 나타남을 알 수 있었다.
We analyzed photoreflectance (PR) characterization of the $Al_xGa_{1-x}As$ epilayer grown by molecular beam epitaxy (MBE) method. The band-gap energy $(E_0)$ satisfying low power Franx-Keldysh (LPFK) due to GaAs buffer layer is 1.415 eV, interface electricall field $(E_i)$ is 1.05$ imes$$10^4$V/cm, carrier concentration (N) is $1.3{ imes}10^{15} extrm{cm}^{-3}$. In PR spectrum intensity analysis at 300 K the $A^*$ peak below $(E_0)$ signal is low and distorted because of residual impurity in sample growth. The trap characteristic time ${ au}_i$ of GaAs buffer layer is about 0.086 ms, and two superposed PR signal near 1.42eV consist of the third derivative signal of chemically eteched GaAs substrate and Franz-Keldysh oscillation (FKO) signal due to GaAs buffer layer.