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Characteristics of Double-junction of High-$ extrm{T}_{c}$ Superconducting $ extrm{YBa}_{2} extrm{Cu}_{3} extrm{O}_{7-x}$ Step-edge Junctions
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  • Characteristics of Double-junction of High-$ extrm{T}_{c}$ Superconducting $ extrm{YBa}_{2} extrm{Cu}_{3} extrm{O}_{7-x}$ Step-edge Junctions
  • Characteristics of Double-junction of High-$ extrm{T}_{c}$ Superconducting $ extrm{YBa}_{2} extrm{Cu}_{3} extrm{O}_{7-x}$ Step-edge Junctions
저자명
황준식,성건용,강광용,윤순길,이광렬,Hwang. Jun-Sik,Seong. Geon-Yong,Gang. Gwang-Yong,Yun. Sun-Gil,Lee. Gwang-Ryeol
간행물명
한국재료학회지
권/호정보
1999년|9권 1호|pp.86-91 (6 pages)
발행정보
한국재료학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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영문초록

(001) $ extrm{SrTiO}_3$(STO) 기판위에 고온초전도 $ extrm{YBa}_{2} extrm{Cu}_{3} extrm{O}_{7-x}$(YBCO)박막을 이용한 계단형 모서리 임계접합을 제조하였다. STO (100) 단결정 기판위에 계단형 모서리(step-edge)를 제작하기 위한 이온밀링 마스크로 plasma enhanced chemical vapor deposition방법으로 증착된 diamond-like carbon (DLC) 박막을 사용하였고, oxygen reactive ion etch 방법으로 건식식각하였다. 이렇게 제작된 계단형 모서리 기판위에 c-축 수직한 YBCO 박막과 STO박막을 pulsed laser deposition방법으로 에피텍셜하게 증착하였다. 계단의 상층과 하층에서 모두 임계가 형성되었으며 이 접합의 임계온도는 77 K 이상이었고 16K에서 $ extrm{I}_{c} extrm{R}_{n}$products가 7.5mV, 77 K에서 0.3mV의 값을 나타내었다. 이들 전류-전압 특성은 two noisy resistively shunted Josephson junction 모델을 잘 만족하였다.

기타언어초록

We have fabricated high-$ extrm{T}_c$ superconducting $ extrm{YBa}_{2} extrm{Cu}_{3} extrm{O}_{7-x}$(YBCO) grain boundary junctions at a step-edge on (001) $ extrm{SrTiO}_3$(STO) substrates. A diamond-like carbon (DLC) film grown by plasma enhanced chemical vapor deposition were used as an ion milling mask to make steps on the STO (100) single crystal and was removed by an oxygen reactive ion etch process. The c-axis oriented YBCO and TO thin films were deposited epitaxially on the STO substrate with a step-edge by pulsed laser deposition. The grain boundary junctions were formed at the top and the bottom of the step. The junctions worked at temperatures above 77 K, and had IulcornerRulcorner products of 7.5mV at 16K and 0.3 mV at 77K, respectively. The I-V characteristics of these junctions showed the shape of the two noisy resistively shunted junction model.