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CBD 방법에 의한 PbS-CuS 박막의 전기적 특성
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  • CBD 방법에 의한 PbS-CuS 박막의 전기적 특성
저자명
정수태,조종래,조정호,정재훈,김강언,조상희
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2001년|14권 5호|pp.423-429 (7 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

PbS, CuS and (Pb,Cu)S thin films were chemically deposited on glass from alkaline baths containing lead acetate, copper chloride, thiourea and triethanolamine. The deposition, optical, resistivity and thermal electric properties of these films were studied. PbS thin films showed a hexagonal structure and CuS thin films showed amorphous. The crystalline of (Pb,Cu)S thin films was obtained by heat treatment at 200$^{C}$ and the deposition ratio of Pb to Cu showed 7:3. The energy gap of PbS, CuS and (Pb,Cu)S thin films were 1.7, 2.1 and 2.4 eV, respectively. Sheet resistance of PbS thin films was less affected on thermal annealing, but hose of (Pb,Cu)S and CuS thin films were more reduced about 3 orders of magnitude. All of those thin films indicated p type semiconductor in temperature ranging 30$^{C}$ to 150$^{C}$.