- Ni-Cr 박막 저항의 특성에 미치는 열처리 조건의 영향
- ㆍ 저자명
- 류승목,명성재,구본급,강병돈,류제천,김동진
- ㆍ 간행물명
- 마이크로전자 및 패키징 학회지
- ㆍ 권/호정보
- 2004년|11권 1호|pp.37-42 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국마이크로전자및패키징학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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최근에 3 ㎓이상의 고주파용 전자부품과 소자의 제조에 낮은 저항온도계수(TCR)값과 높은 정밀도를 갖는 박막저항이 사용되고 있다. Ni-Cr 박막저항은 낮은 TCR 값과 저항에 대한 높은 안정성 때문에 저항 물질로 사용되는 가장 일반적인 물질이다. 본 연구에서는 $Ni_{72}Cr_Al_3Mn_4Si$(wt%)이 첨가된 우수한 저항특성을 갖는 S-type의 Evanohm 합금 타겟과 스퍼터링 장비를 이용하여 박막 저항을 제조하였다. 또한 열처리 조건을 $200^{circ}C$, 300$300^{circ}C$, $400^{circ}C$, $500^{circ}C$로 변화시키면서 고주파 박막 저항의 미세구조와 전기적 특성을 관찰하여 최상의 열처리 조건을 알아보았다.
In the electronic components and devices fabrication, thin film resistors with low TCR (temperature coefficient of resistance) and high precision have been used over 3 ㎓ microwave in recent years. Ni-Cr alloys thin films resistors is one of the most commonly used resistive materials because they have low TCR and highly stable resistance. In this work, we fabricated thin film resistors using Evanohm alloys target(72Ni-20Cr-3Al-4Mn-Si) of S-type with excellent resistors properties by RF-sputtering. Also we reported the best annealing condition of thin film resistors for microwave to observe microstructure and electronic properties of thin film according to annealing conditions($200^{circ}C$, $300^{circ}C$, $400^{circ}C$, $500^{circ}C$)