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Si(001) 표면과 acetone 분자의 상호작용에 대한 이론적 연구
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  • Si(001) 표면과 acetone 분자의 상호작용에 대한 이론적 연구
  • Interaction of acetone molecule on Si(001) surface: A theoretical study
저자명
백승빈,김대희,김영철,Baek. Seung-Bin,Kim. Dae-Hee,Kim. Yeong-Cheol
간행물명
반도체및디스플레이장비학회지
권/호정보
2008년|7권 3호|pp.35-39 (5 pages)
발행정보
한국반도체및디스플레이장비학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

We study the interaction of acetone molecule $[(CH_3)_2CO]$ on Si(001) surface using density functional theory. An acetone molecule is adsorbed on a Si atom of the Si dimer of the Si(001) surface. The adsorption of the acetone molecule on the Si atom at lower height between the two Si atoms of the dimer is more favorable than that on the Si atoms at upper height. Then we calculate an energy variation of dissociation and four-membered ring structures of the acetone molecule adsorbed on the Si surface. Total energy difference between the two structures is about 0.05 eV, indicating that the two structures are almost equally stable. Energy barrier exists when a hydrogen atom is dissociated and adsorbed on the other Si atom of the dimer, while energy barrier does not exist when the adsorbed acetone molecule changes to four-membered ring structure, except for the rotation of the acetone molecule along z-direction. Therefore, four-membered ring structure is kinetically more favorable than the dissociation structure when the acetone molecule is adsorbed on the Si(001) surface.