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홉필드 신경회로망을 위한 단일전자 소자
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  • 홉필드 신경회로망을 위한 단일전자 소자
저자명
유윤섭,Yu. Yun-Seop
간행물명
電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체
권/호정보
2008년|45권 6호|pp.16-21 (6 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문은 새롭게 제안된 단일전자 소자(single-electron device) 및 회로를 이용한 새로운 형태의 홉필드 신경회로망(Hopfield neural network)을 소개한다. 홉필드 신경회로망의 전기적 모델 내부에서 가변저항으로 사용되는 단일전자 시냅스(single-electron synapse)와 비선형 활성함수(nonlinear activation function)로 사용되는 두 단의 단일전자 인버터(single-electron inverter)를 몬테-칼로(Monte-Carlo) 방식의 단일전자 회로 시뮬레이터로 동작을 검증한다.

기타언어초록

This paper introduces a new type of Hopfield neural network using newly developed single-electron devices. In the electrical model of the Hopfield neural network, a single-electron synapse, used as a voltage(or current)-variable resistor, and two stages of single-electron inverters, used as a nonlinear activation function, are simulated with a single-electron circuit simulator using Monte-Carlo method to verily their operation.