4H-SiC의 전자와 정공의 이온화계수 $alpha$와 $eta$로부터 유효이온화계수 $gamma$를 추출함으로써 4H-SiC 쇼트키 다이오드의 항복전압과 온-저항을 위한 해석적 모델을 유도하였다. 해석적 모델로부터 구한 항복전압을 실험 결과와 비교하였고, 도핑 농도 함수의 온-저항도 이미 발표된 결과와 비교하였다. 항복전압은 $10^{15}{sim}10^{18};cm^{-3}$의 도핑 농도 범위에서 실험 결과와 10% 이내의 오차로 잘 일치하였다. 온-저항을 위한 해석적 결과는 $3{ imes}10^{15}{sim}2{ imes}10^{16};cm^{-3}$의 범위에서 실험 결과와 매우 잘 일치하였다.
Analytical models for breakdown voltage and specific on-resistance of 4H-silicon carbide Schottky diodes have been derived successfully by extracting an effective ionization coefficient $gamma$ from ionization coefficients $alpha$ and $eta$ for electron and hole in 4H-SiC. The breakdown voltages extracted from our analytical model are compared with experimental results. The specific on-resistance as a function of doping concentration is also compared with the ones reported previously. Good fits with the experimental results are found for the breakdown voltage within 10% in error for the doping concentration in the range of about $10^{15}{sim}10^{18};cm^{-3}$. The analytical results show good agreement with the experimental data for the specific on-resistance in the range of $3{ imes}10^{15}{sim}2{ imes}10^{16};cm^{-3}$.
