- MicroTec을 이용한 Trench D-MOSFET의 항복전압 분석
- ㆍ 저자명
- 정학기,한지형,Jung. Hak-Kee,Han. Ji-Hyung
- ㆍ 간행물명
- 한국해양정보통신학회논문지
- ㆍ 권/호정보
- 2010년|14권 6호|pp.1460-1464 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국정보통신학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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본 논문에서는 MicroTec을 이용하여 Trench D-MOSFET의 항복전압을 분석하였다. 소자의 고집적을 위한 특성 분석 기술은 빠른 변화를 보이고 있다. 이에 따라 고집적 소자의 특성을 시뮬레이션을 통하여 이해하고 이에 맞게 제작하는 기술은 매우 중요한 과제 중의 하나가 되었다. Trench MOSFET은 고전압에서 가장 선호하는 전원장치이다. Trench MOSFET에서 산화막 두께와 도핑농도는 항복전압의 크기를 결정하며 고전압에 커다란 영향을 미치고 있다. 본 연구에서는 채널의 도핑 농도를 $10^{15}cm^{-3}$에서 $10^{17}cm^{-3}$까지 변화시켜 도핑 농도에 따른 항복전압 특성을 조사하였다. 또한 게이트 산화막 두께와 접합깊이를 변화시켜 항복전압 특성을 분석하였다.
In the paper, the breakdown voltage of Trench D-MOSFET have been analyzed by using MircoTec. The technology for characteristic analysis of device for high integration is changing rapidly. Therefore to understand characteristics of high-integrated device by computer simulation and fabricate the device having such characteristics became one of very important subjects. A Trench MOSFET is the most preferred power device for high voltage power applications. The oxide thickness and doping concentration in Trench MOSFET determines breakdown voltage and extensively influences on high voltage. We have investigated the breakdown voltage characteristics according to variation of doping concentration from $10^{15}cm^{-3}$ to $10^{17}cm^{-3}$ in this study. We have also investigated the breakdown voltage characteristics according to variation of oxide thickness and junction depth.