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Characteristic of Al-In-Sn-ZnO Thin Film Prepared by FTS System with Hetero Targets
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  • Characteristic of Al-In-Sn-ZnO Thin Film Prepared by FTS System with Hetero Targets
  • Characteristic of Al-In-Sn-ZnO Thin Film Prepared by FTS System with Hetero Targets
저자명
Hong. Jeong-Soo,Kim. Kyung-Hwan
간행물명
Transactions on electrical and electronic materials
권/호정보
2011년|12권 2호|pp.76-79 (4 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In order to improve efficiency and make a new material thin film, we prepared the Al-In-Sn-ZnO thin film on a glass substrate at room temperature using a Facing Target Sputtering (FTS) system. The FTS system was designed to array two targets that face each other. Two different kinds of targets were installed on the FTS system. We used an ITO ($In_2O_3$ 90wt%, $SnO_2$ 10wt%) target and an AZO (ZnO 98wt%, $Al_2O_3$ 2wt%) target. The AIZTO films were deposited using different applied powers to the targets. The as-deposited AIZTO thin films were investigated using a UV/VIS spectrometer, an X-ray diffratometer (XRD), and Energy Dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

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