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Accelerating Memory Access with Address Phase Skipping in LPDDR2-NVM
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  • Accelerating Memory Access with Address Phase Skipping in LPDDR2-NVM
  • Accelerating Memory Access with Address Phase Skipping in LPDDR2-NVM
저자명
Park. Jaehyun,Shin. Donghwa,Chang. Naehyuck,Lee. Hyung Gyu
간행물명
Journal of semiconductor technology and science
권/호정보
2014년|14권 6호|pp.741-749 (9 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Low power double data rate 2 non-volatile memory (LPDDR2-NVM) has been deemed the standard interface to connect non-volatile memory devices such as phase-change memory (PCM) directly to the main memory bus. However, most of the previous literature does not consider or overlook this standard interface. In this paper, we propose address phase skipping by reforming the way of interfacing with LPDDR2-NVM. To verify effectiveness and functionality, we also develop a system-level prototype that includes our customized LPDDR2-NVM controller and commercial PCM devices. Extensive simulations and measurements demonstrate up to a 3.6% memory access time reduction for commercial PCM devices and a 31.7% reduction with optimistic parameters of the PCM research prototypes in industries.