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120kV/70A MOSFETs Switch의 구동회로 개발
송인호, 최창호 전력전자학회 전력전자학회 논문지 6 Pages
전력전자학회 전력전자학회 논문지 2003, Vol.8 No.1 24-29 (6 pages)
현재 120kV/70A 고압 스위치가 KSTAR의 NBI 시스템에 사용되기 위하여 대전의 원자력 연구소에 설치되어 있다. NBI 시스템은 아크 발생시 이온 소스를 보호하기 위하여 전압의 빠른 차단 및 빔 전류의 유시를 위하여 전압의 빠른 턴온이 요구된다. 따라서 고압 스위치와 아크 검출회로는 NBI 시스템에서 중요한 부분을 차지하고 있다. 고압의 반도체 스위치는 NBI 시스템 뿐만 아니라 산업전반에서 요구되고 있다. NBI 시스템에 적용된 120kV/70A 고압 스위치는 100개의 MOSFET 소자를 직렬연결하였으며 본 논문에서 제안한 바이어스... -
High Temperature Dependent SPICE Modeling for Carrier Velocity in MOSFETs Using Measured S-Parameters
정대현, 고봉혁, 이성현, Jung. Dae-Hyoun, Ko. Bong-Hyuk, Lee. Seong-Hearn 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2009, Vol.46 No.12 24-29 (6 pages)
$0.18{mu}m$ deep n-well 벌크 NMOSFET에서 측정된 차단주파수 $f_T$의 고온종속성을 모델화하기 위해, 측정된 S-파라미터를 사용한 정확한 RF 방법으로 $30^{circ}C$에서 $250^{circ}C$까지 전자속도 고온 데이터가 추출되었다. 이러한 추출데이터를 사용하여 개선된 온도종속 전자속도 방정식이 높은 온도의 범위에서 생기는 기존 방정식의 모델링 오차를 없애기 위해 개발되었으며 BSIM3v3 SPICE RF 모델에 구현되었다. 개선된 온도 종속 방정식은 기존 모델보다 $30^{circ}C$에서 $250^{circ}C$까지 측정된 $f_T$와 더 잘... -
Design and Characteristics of Modern Power MOSFETs for Integrated Circuits
방연섭, Bang. Yeon-Seop 대한전자공학회 電子工學會誌 10 Pages
대한전자공학회 電子工學會誌 2010, Vol.37 No.8 50-59 (10 pages)
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Accurate RF Extraction Method for Gate Voltage-Dependent Carrier Velocity of Sub-0.1㎛ MOSFETs in the Saturation Region
이성현, Lee. Seonghearn 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 5 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 2013, Vol.50 No.9 55-59 (5 pages)
Sub-$0.1{mu}m$로 스케일이 감소함에 따라 기생 저항 효과가 크게 발생되는 dc Ids 측정 데이터 없이 측정 S-파라미터로부터 얻어진 RF Ids를 사용하여 벌크 MOSFET의 포화영역에서 게이트 전압 종속 유효 캐리어 속도를 추출하는 새로운 방법이 개발되었다. 이 방법은 바이어스 종속 기생 게이트-소스 캐패시턴스와 유효 채널 길이의 복잡한 추출 없이 포화영역의 유효 캐리어 속도를 추출할 수 있게 한다. 이러한 RF 기술을 사용하여 벌크 포화 속도를 초과하는 전자 속도 overshoot 현상이 $0.065{mu}m$ 게이트 길이의 벌크... -
Scaling Accuracy Analysis of Substrate SPICE Model for RF MOSFETs
이현준, 이성현, Lee. Hyun-Jun, Lee. Seonghearn 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 6 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 2012, Vol.49 No.12 173-178 (6 pages)
RF 직접 추출 방법을 통해 얻은 정확한 MOSFET 기판 파라미터를 이용하여 기판저항만을 가진 BSIM4 모델은 스케일링 부정확성 때문에 넓은 영역의 게이트 길이에 적용하기에는 물리적으로 맞지 않다는 것이 증명됐다. BSIM4의 비물리적인 문제점을 제거하기 위해서 추가적인 유전체 기판 캐패시터를 가진 수정된 BSIM4 모델이 사용되었고, 이 모델의 물리적 타당성은 우수한 게이트 길이 scalability를 관찰함으로써 증명되었다. -
Measurement and Analysis of Gate Finger Number Dependence of Input Resistance for Sub-micron MOSFETs
안자현, 이성현, Ahn. Jahyun, Lee. Seonghearn 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 7 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 2014, Vol.51 No.12 59-65 (7 pages)
다양한 게이트 핑거 수(Nf)의 MOSFET에 대한 두 종류의 입력 저항이 $S_{11}$-parameter와 $Z_{11}$-parameter으로부터 변환 되어 저주파 영역에서 측정되었다. 본 연구에서 사용된 $Nf{leq}64$의 범위에서 $S_{11}$-parameter로부터 추출된 1/Nf 종속 입력저항은 $Z_{11}$-parameter로부터 추출된 입력 저항보다 훨씬 낮은 값을 보여주며, 이러한 1/Nf 종속성은 MOSFET의 등가회로로부터 유도된 Nf 종속 비선형 방정식으로부터 이론적으로 증명하였다. -
Performance and Variation-Immunity Benefits of Segmented-Channel MOSFETs (SegFETs) Using HfO2 or SiO2 Trench Isolation
Nam. Hyohyun, Park. Seulki, Shin. Changhwan 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 9 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.4 427-435 (9 pages)
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Computing-Inexpensive Matrix Model for Estimating the Threshold Voltage Variation by Workfunction Variation in High-κ/Metal-gate MOSFETs
Lee. Gyo Sub, Shin. Changhwan 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 4 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.1 96-99 (4 pages)
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Monte Carlo Simulation Study: the effects of double-patterning versus single-patterning on the line-edge-roughness (LER) in FDSOI Tri-gate MOSFETs
Park. In Jun, Shin. Changhwan 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 5 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2013, Vol.13 No.5 511-515 (5 pages)