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RF Sputtering 법으로 제작한 강유전체 메모리의 하부전극용$RuO_2$ 박막의 특성에 관한 연구
강성준, 정양희 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 8 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2000, Vol.4 No.5 1127-1134 (8 pages)
비가 감소하고 기판온도가 증가함에 따라 $RuO_2$ 박막은 (110) 면에서 (101) 면으로 우선배향방향이 변하였다. O2/(Ar+O2) 비가20% 에서 50% 로 증가함에 따라, $RuO_2$박막의 표면거칠기는 2.38nm 에서 7.81nm로, 비저항은 $103.6 muOmega-cm; 에서; 227 muOmega-cm$로 증가하는 추세를 나타내는 반면에, 증착속도는 47nm/min에서 17nm/min 로 감소하였다. 기판온도가 상온에서 $500^{circ}C$ 로 증가함에 따라 비저항은 $210.4muOmega-cm; 에서; 93.7muOmega-cm$로 감소하였고, 표면거칠기는$300^{circ}C$ 에서 증착한 박막이 2.3nm... -
$LiNbO_3$ 강유전체 박막을 이용한 MFS 커패시터의 게이트 전극 변화에 따른 특성
정순원, 김광호 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2002, Vol.11 No.4 230-234 (5 pages)
$LiNbO_3Si$/(100) 구조를 가지고 여러 가지 전극을 사용하여 금속/강유전체/반도체 커패시터를 제작하였으며, 제작한 커패시터의 비휘발성 메모리 응용 가능성을 확인하였다. MFS 커패시터의 C-V 특성 곡선에서는 LiNbO$_3$박막의 강유전성으로 인한 히스테리시스 특성이 관측되었으며, 1 MHz C-V 특성 곡선의 축적 영역에서 산출한 비유전율은 약 25 이었다. Pt 전극을 사용하여 제작한 커패시터에서는 인가 전계 500 kV/cm 범위에서 $1 imes10^{-8}$ A/cm 이하의 우수한 누설전류 특성이 나타났다. midgap 부근에서의 계면 준위 밀도는... -
강유전체 YMnO3 박막 식각에 대한 CF4첨가효과
박재화, 김경태, 김창일, 장의구, 이철인 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2002, Vol.15 No.4 314-318 (5 pages)
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RF 마그네트론 스퍼터링법에 의한 SBT 박막의 강유전체 특성
조춘남, 김진사, 최운식, 박용필, 김충혁 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2001, Vol.14 No.9 731-735 (5 pages)
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강유전체 박막의 식각 기술 동향
임규태, 김동표, 김창일 한국전기전자재료학회 전기전자재료 8 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 2003, Vol.16 No.3 28-35 (8 pages)
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Bi-perovskite 층상구조의 강유전체 박막 기술 동향
김경태, 김창일, 김태형 한국전기전자재료학회 전기전자재료 10 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 2003, Vol.16 No.3 12-21 (10 pages)
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강유전체 박막의 식각 기술 및 응용
김창일 한국전기전자재료학회 전기전자재료 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 2001, Vol.14 No.12 15-21 (7 pages)
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FRAM 응용을 위한 강유전체 박막의 형성 기술
이우선, 김상용 한국전기전자재료학회 전기전자재료 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 2000, Vol.13 No.4 27-32 (6 pages)
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강유전체 표시기용 고전압 비정질 실리콘 박막트렌지서트의 온도변화 특성
이우선, 김남오, 이경섭 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 6 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1996, Vol.9 No.6 558-563 (6 pages)
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강유전체 박막의 제조기술 및 응용
최준후, 이승석, 김호기 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 7 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1994, Vol.7 No.5 431-437 (7 pages)
이글에서는 다음의 내용을 다루었다. 1. 강유전체 박막기술 2. 강유전체 박막의 응용, (1) DRAM Capacitor유전막, (2) 비휘발성 FRAM, (3) Ferroelectric non-volatile memory의 원리, (4) Non-destructive read-out방식의 FRAM, (5) Destructive read-out방식의 FRAM, (6) Ferroelectric memory의 특성, (7) FRAM 개발상의 문제점, (8) FRAM개발현황 및 그 전망