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열화학기상증착법에 의한 탄소나노소재의 합성 및 수소저장 특성
유형균, 최원경, 류호진, 이병일, Yu. Hyung-Kyun, Choi. Won-Kyung, Ryu. Ho-Jin, Lee. Byung-Il 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 4 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2001, Vol.38 No.10 867-870 (4 pages)
지지촉매로 Ni-graphite를 사용하고 ${C_2}{H_2}$를 이용한 열화학기상증착법에 의하여 탄소나노소재를 합성하였다. 합성된 시편은 SEM, TEM, 라만 분광법으로 분석하였으며, 수소저장특성은 전기화학적인 방법에 의하여 평가하였다. 탄소나노소재 합성시 메카노케미컬 처리과정을 거친 시편이 거치지 않은 시편에 비하여 탄소나노튜브의 순도가 우수하였다. 한편, 탄소나노소재를 정제함에 따라 수소저장특성이 크게 향상되었다. -
열화학기상증착법을 이용한 프리스탠딩 ZnO/Zn 코어셀 마이크로 다면체 구조물의 합성
최민열, 박현규, 정순욱, 김상우, Choi. Min-Yeol, Park. Hyun-Kyu, Jeong. Soon-Wook, Kim. Sang-Woo 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2008, Vol.18 No.4 155-159 (5 pages)
본 연구에서는 금속 Zn 팰렛을 원료 물질로 이용하여 열화학기상증착법으로 마이크로 크기의 프리스탠딩 ZnO/Zn 코어셀 다면체 구조물을 합성하였다. 마이크로 크기로 성장된 ZnO/Zn 코어셀 다면체의 형태와 구조적인 특성을 분석하기 위해서 주사전자현미경과 투과전자현미경을 이용하였다. 성장된 마이크로 크기의 다면체는 단결정 ZnO 나노막대 배열에 의해 둘러싸인 단결정 금속 Zn로 구성되어 있음을 확인할 수 있었다. 마이크로 크기의 단결정 Zn는 육방정 결정구조로 이루어져 있으며, 표면을 구성하고 있는 c-축 배향된 ZnO... -
열화학기상증착법을 이용한 Si 기판 위의 $SnO_2$ 나노와이어 제작 및 물성평가
이득희, 박현규, 이삼동, 정순욱, 김상우, Lee. Deuk-Hee, Park. Hyun-Kyu, Lee. Sam-Dong, Jeong. Soon-Wook, Kim. Sang-Woo 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2007, Vol.17 No.3 91-94 (4 pages)
열화학기상증착법을 이용하여 Si (001) 기판 위에 $SnO_2$ 나노와이어를 성장시켰다. Au 박막 (3 nm)을 성장을 위한 촉매로 사용하여 Si(001) 기판 이에 순수 SnO powder (purity, 99.9%)를 반응 원료로 대기압 하 $950{sim}100^{circ}C$ 온도 범위, $750{sim}800;sccm$ 아르곤 분위기에서 $SnO_2$ 나노와이어를 성장시켰다. X-ray diffraction 분석을 통해 성장한 $SnO_2$ 나노와이어가 tetragonal rutile 구조임을 확인하였고, transmission electron microscopy 분석을 통해 단일 나노와이어의 결정 특성을 분석하였다. 또한, 상온... -
고온벽 화학기상증착법을 이용한 에피 실리콘 증착과 열화학적 해석
윤덕선, 고욱현, 여석기, 이홍희, 박진호 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 7 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2002, Vol.12 No.4 215-221 (7 pages)
$SiH_2Cl_2/H_2$ 기체혼합물을 원료로 사용하여 (100) Si 기판 위에 고온벽 화학기상증착법(hot-wall CVD)으로 에피 실리콘을 증착시켰다. 공정변수(증착온도, 반응기 압력, 입력 기체의 조성비($H_2/SiH_2Cl_2$)등)가 실리콘 증착에 미치는 영향을 조사하기 위해 열화학적 전산모사를 수행하였으며, 전산모사를 통해 얻은 공정조건의 범위를 바탕으로 실험한 결과, 전산모사의 결과와 실험이 잘 일치함을 알 수 있었다. 실험을 통해 얻은 최적 증착 조건은 증착온도가 850~$950^{circ}C$, 반응기 압력은 2~5 Torr, $H_2/SiH_2Cl_2$비는... -
열화학기상증착법에 의한 고순도 탄소나노튜브의 성장
유재근, 박정훈, 김대운, 이철진, 손권희, 신동혁, 문인기, Yu. Jae-Geun, Park. Jeong-Hun, Kim. Dae-Un, Lee. Cheol-Jin, Son. Gwon-Hui, Sin. Dong-Hyeok, Mun. In-Gi 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 5 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2000, Vol.49 No.12 649-653 (5 pages)
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화학기상증착법에 의한 6H-SiC 기판상의 3C-SiC 이종박막 성장
장성주, 박주훈 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 7 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2003, Vol.13 No.6 290-296 (7 pages)
연구에서는 열화학기상증착법을 사용하여 6H-SiC 기판 위에 silane($SiH_4$)과 prophane($C_3H_8$)을 사용하여 3C-SiC 이종박막을 성장시키고 이의 성장 특성을 조사하였다. C/Si 유량 비율이 4.0, 운반기체의 유량은 5 slm이고 성장온도가 $1200^{circ}C$인 경우의 박막성장율은 약 1.8 $mu$m/h이었다. 성장박막의 Nomarski 표면형상, X-선 회절분광, Raman 산란 특성 및 광발광(PL) 특성 등을 측정하고 성장조건에 따른 결정성을 비교하였다. 이러한 평가를 통하여 성장온도 $1150^{circ}C$ 이상에서 양질의 결정성 3C-SiC 이종박막이... -
반응성 화학기상증착법에 의해 다결정실리콘 위에 직접성장된 $CoSi_2$ 층의 열적안정성의 개선
이희승, 이화성, 안병태, Lee. Hui-Seung, Lee. Hwa-Seong, An. Byeong-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2001, Vol.11 No.8 641-646 (6 pages)
(CO)$_2$의 반웅성.화학기상증착법에 의해 도핑되지 않은 다결정실리콘 위에 $CoSi_2$충이 직접 (in-situ) 성장되었고 이 $CoSi_2$층들의 열적안정성을 $800~1000^{circ}C$의 온도구간에서 조사하였다. 직접 성장 방법에 의해 성장된 $CoSi_2$충은 표면에 평행한 (111) 면의 면적이 큰 결정립들을 가지는 반면에, $CoSi_2$가 먼저 형성되고 $CoSi_2$로 상변태되는 기존의 두단계 성장 방법에 의해 성장된 CoSi$_2$충은 표면에 평행한 (111) 면을 가지는 결정립들이 거의 없었다. 직접 성장 방법에 의해 성장된 $CoSi_2$층의 열적 안정성은... -
SnO2 박막의 전기적 성질과 결함과의 관계
강종욱, 방태환, 정진 인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 8 Pages
인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 2017, 제 7권 제 8호 27 297-304 (8 pages)
방법을 이용하여 산화주석 박막을 증착 하였다. 스퍼터 쳄버의 증착 온도는 300도로 고 정하고 외부에서 산소를 쳄버내로 흘려주어 실리콘(100) 기판위에 산소층을 만들었다. 쳄버내 파워의 세기를 100, 150, 200W 로 변화시켜서 각각의 SnO2박막을 만들었다. 증착된 산화주석 박막의 구조를 알아보기 위하여 X-선 회절장치를 이용하여 산화주석 박막을 분석하였다. X선 회절 결과에서 SnO2박 막은 공급된 파워의 세기가 증가되었을 때 박막의 주성장면인 (110)면, (211)면, (101)면등 모든 성장면 의 세기가 일정한 변화를 보였다.... -
마이크로웨이브 조사를 이용한 반도체성 단일벽 탄소나노튜브의 선택적 분리
김성환, 송우석, 김유석, 김수연, 박종윤, Kim. Sung-Hwan, Song. Woo-Seok, Kim. Yoo-Seok, Kim. Soo-Youn, Park. Chong-Yun 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.4 294-299 (6 pages)
본 연구에서는 열화학기상증착법과 나노구조의 Fe/$Al_2O_3$/Si 촉매층을 이용하여 단일벽 탄소나노튜브를 합성하고 마이크로웨이브 조사를 통해 금속성 단일벽 탄소나노튜브를 선택적으로 제거하고 반도체성 단일벽 탄소나노튜브를 분리하였다. 조사시간의 변화에 따른 단일벽 탄소나노튜브의 전기적, 구조적 특성을 분석한 결과, 조사시간이 120초인 경우, 금속성의 단일벽 탄소나노튜브가 선택적으로 제거되어 약 95%의 반도체성 단일벽 탄소나노튜브를 분리할 수 있었으며, 뿐만 아니라 남아있는 반도체성 단일벽 탄소나노튜브가 손상... -
산소플라즈마 에칭공정을 응용한 탄소나노튜브 Array 길이 제어 연구
송유진, 강성준, Song. Yoo-Jin, Kang. Seong-Jun 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.6 488-493 (6 pages)
있어, 탄소나노튜브의 전기적 특성을 결정짓는 길이와 직경을 제어하는 일은 매우 중요하다. 본 연구에서는 비교적 간단한 공정을 통하여 탄소나노튜브의 길이를 제어하는 기술을 개발 하였다. 기판에 평행하게 정렬된 탄소나노튜브 Array 박막을 열화학기상증착법을 이용하여 성장 시킨 후, 간단한 포토 리소그래피 공정과 산소 플라즈마 에칭 공정을 통하여 균일한 길이의 탄소나노튜브 Array를 기판위에 형성하였다. 본 연구를 통하여 개발된 균일한 길이의 고밀도 탄소나노튜브 Array는 대면적의 나노전자 소자뿐만 아니라, 태양전지,...
