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RF Sputtering 법으로 제작한 강유전체 메모리의 하부전극용$RuO_2$ 박막의 특성에 관한 연구
강성준, 정양희 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 8 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2000, Vol.4 No.5 1127-1134 (8 pages)
RF magnetron reactive sputtering 법으로 $RuO_2$ 박막을 제작하여, O2/(Ar+O2) 비와 기판온도에 따른 박막의 결정화 특성, 미세구조, 표면거칠기, 전기적 비저항을 조사하였다. O2/(Ar+O2) 비가 감소하고 기판온도가 증가함에 따라 $RuO_2$ 박막은 (110) 면에서 (101) 면으로 우선배향방향이 변하였다. O2/(Ar+O2) 비가20% 에서 50% 로 증가함에 따라, $RuO_2$박막의 표면거칠기는 2.38nm 에서 7.81nm로, 비저항은 $103.6 muOmega-cm; 에서; 227 muOmega-cm$로 증가하는 추세를 나타내는 반면에, 증착속도는 47nm/min에서 17nm/min 로... -
RF Sputtering의 증착 조건에 따른 HfO2 박막의 Nanocrystal에 의한 Nano-Mechanics 특성 연구
김주영, 김수인, 이규영, 권구은, 김민석, 엄승현, 정현진, 조용석, 박승호, 이창우, Kim. Joo-Young, Kim. Soo-In, Lee. Kyu-Young, Kwon. Ku-Eun, Kim. Min-Suk, Eum. Seoung-Hyun, Jun 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2012, Vol.21 No.5 273-278 (6 pages)
본 연구에서는 게이트 절연층으로 최적화하기 위하여 $HfO_2$ 박막의 nano-mechanical properties를 자세히 조사하였다. 시료는 rf magnetron sputter를 이용하여 Si (silicon) 기판 위에 Hafnium target으로 산소유량(4, 8 sccm)을 달리하여 증착하였고, 이후 furnace에서 400에서 $800^{circ}C$까지 질소분위기에서 20분간 열처리를 실시하였다. 실험결과 산소 유량을 8 sccm으로 증착한 시료가 열처리 온도가 증가할수록 누설전류 특성 성능이 우수 해졌다. Nano-indenter로 측정하고 Weibull distribution으로 정량적 계산을 한 결과,... -
RF Magnetron Sputtering법으로 제작한 ZnO:Al 박막의 초기 압력에 따른 특성
김덕규, 김홍배, Kim. D.K., Kim. H.B. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.2 141-145 (5 pages)
ZnO:Al 박막을 RF magnetron sputtering 법을 이용하여 초기 압력에 따라 증착하고 박막의 구조적, 광학적, 전기적 특성을 연구하였다. 초기 압력 변화에 의해 ZnO:Al 박막의 특성의 변화를 확인하였고 고품질의 박막을 얻을 수 있었다. 모든 ZnO:Al 박막에서 (002)면의 우선 배향성을 보였으며 가시광선 영역(400~800 nm)에서 85% 이상의 좋은 투과도를 보였다. 초기 압력이 낮아질수록 결정성, 비저항 그리고 성능지수 특성이 향상됨을 확인하였다. 초기 압력에 따른 비저항의 향상은 결정립 크기 변화에 의한 것으로 판단된다. -
Growth of AlN Thin Film on Sapphire Substrates and ZnO Templates by RF-magnetron Sputtering
나현석, Na. Hyun-Seok 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.1 58-65 (8 pages)
RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 사파이어 기판 위에 AlN 박막을 증착하였다. AlN 공급원으로는 분말소결된 AlN 타겟을 적용하였다. 플라즈마 파워를 50에서 110 W로 증가시켰을 때 AlN 층의 두께는 선형적으로 증가하였다. 그러나 동작압력을 3에서 10 mTorr로 증가시켰을 때는 동작기체인 아르곤 양이 증가함에 따라 AlN 타겟으로부터 스퍼터링되어 나온 AlN 입자들의 평균자유행정의 거리가 감소하기 때문에 AlN 층의 두께는 약간 감소하였다. 질소 기체를 아르곤과 섞어주었을 때는 질소의 낮은 스퍼터링 효율에 의해서 AlN의... -
RF Magnetron Sputtering법으로 제작된 (Pb0.92La0.08)(Zr0.65Ti0.35)O3 박막의 Ar/O2 분압비에 따른 강유전 특성연구
김상지, 윤지언, 황동현, 이인석, 안정훈, 손영국, Kim. Sang-Jih, Yoon. Ji-Eon, Hwang. Dong-Hyun, Lee. In-Seok, Ahn. Jung-Hoon, Son. Young-Guk 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.2 141-146 (6 pages)
rf magnetron sputtering 법을 이용하여 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 buffer layer인 $TiO_2$ 층을 증착한 후 PLZT 강유전체 박막을 증착하였다. PLZT 박막 증착 시 가스 분압비가 박막의 특성에 미치는 영향을 알아보기 위해 Ar/$O_2$ 분압비를 각각 27/1.5 sccm, 23/5.5 sccm, 21/7.5 sccm, 19/9.5 sccm로 변화시키면서 박막을 증착하였다. 이들 박막의 구조적인 특성을 분석하기 위해 X-선 회절법을 사용하였으며 FE-SEM을 이용하여 입자상을 관찰하였다. 또한 박막의 유전특성을 분석하기 위해 Precision LC를 이용하여 이력곡선,... -
SiO2/Si 및 Si 기판에 rf magnetron sputtering법으로 증착된 적외선 센서용 La0.7Sr0.3MnO3 CMR 박막 저항체 특성연구
최선규, 유병곤, 류호준, 박형호, Choi. Sun-Gyu, Yu. Byoung-Gon, Ryu. Ho-Jun, Park. Hyung-Ho 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.2 130-137 (8 pages)
$La_{0.7}Sr_{0.3}MnO_3$ 박막을 rf 마그네트론 스퍼터를 이용하여 챔버 내 산소가스유량비를 0, 40, 80 sccm 으로 조절하고 후열처리 공정 없이 기판온도를 $350^{circ}C$로 유지하면서 $SiO_2$/Si(100) 및 Si(100) 기판에 증착하였다. 증착된 $La_{0.7}Sr_{0.3}MnO_3$ 박막은 $SiO_2$/Si(100), Si(100) 기판 모두 (100), (110), (200)면을 갖는 polycrystalline 상태였으며, oxygen flow rate이 증가함에 따라 박막의 grain size가 증가하였다. 증가되는 grain size로 인하여 grain boundary가 감소하였고 따라서 높은 oxygen flow... -
RF magnetron sputtering 법으로 증착된 GZO와 ZnO 박막의 광학적 특성
황보수정, 전훈하, 김금채, 이지수, 김도현, 최원봉, 전민현, HwangBoe. S.J., Jeon. H.H., Kim. G.C., Lee. J.S., Kim. D.H., Choi. W.B., Jeon. M.H. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2007, Vol.16 No.6 453-457 (5 pages)
상온에서 RF magnetron sputtering 을 이용하여 10nm에서 50nm 의 두께를 가지는 ZnO와 GZO 를 유리 기판위에 증착하여 두 물질 간의 구조적 특성과 광학적 특성을 평가하였다. 구조적인 특성은 투과전자현미경 (TEM) 과 주사전자현미경 (SEM)을 통해 이루어졌다. 광학적 특성 평가는 spectrophotometer를 이용하여 UV-VIS-NIR 영역에 관한 투과도를 측정하였다. ZnO의 결정크기가 GZO보다 상대적으로 더 크게나왔으며 이는 결정 경계면에서 발생하는 광산란을 줄임으로서 투과도의 향상을 가져왔다. 투과 전 영역에서 ZnO의 투과도가 더... -
박막 형광체 $ZnGa_2O_4:Mn^{2+}$의 RF Magnetron Sputtering법을 이용한 생장
김종수, 이성훈, 박재홍, 박형원, 최진철, 박홍이, Kim. J.S., Lee. S.H., Park. J.H., Park. H.W., Choi. J.C., Park. H.L. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2006, Vol.15 No.4 404-409 (6 pages)
RF magnetron sputtering 법을 이용하여 quartz 기판 위에 spinel 구조의 $ZnGa_2O_4 : Mn^{2+}$ 박막 형광체를 상온에서 증착 하였다. 후 열처리 온도에 따라 박막의 결정성, 표면 거칠기와 조성비가 변하였으며 이는 박막 형광체의 발광특성에 영향을 주었다. 후 열처리 온도가 $500^{circ}C$에서 $900^{circ}C$로 올라감에 따라 후 열처리 온도가 $700^{circ}C$ 일 때 가장 낮은 수치의 표면 거칠기를 보였고 이로 인한 낮은 외부 양자 효율로 인하여 발광특성이 좋지 않았다. 후 열처리 온도가 $800^{circ}C$ 일 때 결정화 정도가... -
RF UBM Sputtering에 의해 증착된 hBN 박막의 미세구조가 cBN 상의 핵형성에 미치는 영향
이은옥, 박종극, 임대순, 백영준, Lee. Eun-Ok, Park. Jong-Keuk, Lim. Dae-Soon, Baik. Young-Joon 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2004, Vol.13 No.4 150-156 (7 pages)
Si(100) 기판 위에 RF UBM 스퍼터링 (Unbalanced Magnetron Sputtering) 방법을 이용하여 BN 박막을 증착하였다. 이온 충돌 에너지에 영향을 주는 증착 압력과 기판 바이어스 전압을 변화시켜, 증착된 BN박막의 미세구조와 압축응력의 변화를 살펴보았다. 높은 증착 압력에서는 hBN laminate의 정렬도가 기판 바이어스 전압이 증가함에 따라 선형적으로 증가한 반면, 낮은 증착 압력에서는 낮은 기판 바이어스 전압에서 hBN laminate의 정렬도가 높게 나타났다. hBN 박막의 응력 변화와 표면 형상은 hBN laminate의 정렬도와 밀접한... -
RF Magnetron Sputtering을 이용한 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$박막 커패시터의 제작과 전기적 특성에 관한 연구
이태일, 박인철, 김홍배 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2002, Vol.11 No.1 1-7 (7 pages)
RF Magnetron Sputtering 방법으로 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ 박막을 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판위에 증착하였다. $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ 박막 증착시 기판온도는 실온으로 고정시켜주었고, 작업 가스 유량(Ar:$O_2$)과 RF Power는 각각 90:10에서 60:40까지 그리고 50 W와 75 W로 하였다. 또한 박막 증착 후 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 이용하여 산소분위기에서 $600^{circ}C$로 고온 순간 열처리를 하였다. 커패시터 제작을 위해 UHV System의 E-beam evaporator를 이용하여 Pt를 증착하였다. XRD 측정을 통한 구조적 특성에서는 작업... -
RF-Magnetron Sputtering에 의하여 ITO 유리 위에 성장된 $SrTiO_3$박막의 열처리 특성
김화민, 이병로 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2001, Vol.10 No.4 416-423 (8 pages)
대한 열처리 효과들이 조사되었다. $SrTiO_3$ 박막은 RF-마그네트론 스퍼터링 방법에 의하여 상온의 ITO유리 위에 성장되었으며, 성장된 박막들은 산소 분위기의 여러 온도에서 열처리되었다. X선 회절 패턴을 분석한 결과 상온에서 제작된 as-deposited박막은 비정질 상태로 나타났으며, 450-$600^{circ}C$에서 열처리한 시료에서는 pyrochlore 구조의 결정 피크들이 우세하게 관측되었다. 그리고 $650^{circ}C$에서 열처리한 시료에서는 perovskite 구조가 우세하게 나타나는 것이 관측되었다. 특히 $650^{circ}C$에서 열처리한 시료의... -
Phase identification of $C_3N_4$ in CN films prepared by rf plasma chemical vapor deposition and dc magnetron sputtering
Fu. Dejun, Wu. Dawei, Zhang. Zhihong, Meng. Xianquan, He. Mengbing, Guo. Huaixi, Peng. Yougui, Fan. Xiangjun 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.1 140-148 (9 pages)
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RF Magnetron Sputtering 법으로 제조된 AIN 박막에 관한 연구
남창길, 최승우, 천희곤, 조동율 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1997, Vol.6 No.1 44-49 (6 pages)
반응성 RF 스퍼터링 장치에 반응성 질소와 작업가스 아르곤을 동시에 주입하면서 Al을 스퍼터링하여 AIN박막을 형성하였다. polycarbonate기판이나 이 디스크 표면 위의 micron크기의 pregroove형태의 손상이 일어나지 않을 정도의 저온의 저온을 유지키 위하여 플라즈마(plasma) 자체 온도($100^{circ}C$이하)로 가열하면서 silicon과 glass기판 위에 AIN박막을 증착시켰다. 여러 증착변수 변화에 따른 박막의 결정성, 단면형상 및 굴절율 변화 등을 분석 하였다. -
RF Magnetron Sputtering법에 의한 FED용 $ZnGa_2$$O_4$형광체의 특성분석
한진만, 박용민, 장건익 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2000, Vol.13 No.9 776-780 (5 pages)
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RF Sputtering으로 제작한 $SiO_2 $및 $SiO_2/TiN$ 박막의 R-V 특성
김창석, 하충기, 김병인 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 1998, Vol.11 No.10 826-832 (7 pages)
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RF magnetron sputtering법으로 ZnO박막 제조시 기판온도에 따른 c축 배향성에 관한 연구
이종덕, 송준태 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1996, Vol.9 No.2 196-203 (8 pages)
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Analysis of Photoluminescence for N-doped and undoped p-type ZnO Thin Films Fabricated by RF Magnetron Sputtering Method
Liu. Yan-Yan, Jin. Hu-Jie, Park. Choon-Bae, Hoang. Geun C. 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2009, Vol.10 No.1 24-27 (4 pages)