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전착법에 의한 음극지지형 SOFC 전해질막 제조
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  • 전착법에 의한 음극지지형 SOFC 전해질막 제조
저자명
김상우,이병호,손용배,송휴섭
간행물명
마이크로전자 및 패키징 학회지
권/호정보
1999년|6권 1호|pp.23-29 (7 pages)
발행정보
한국마이크로전자및패키징학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

전착법(EPD)에 의한 음극지지형 SOFC 단전지용 전해질 제조를 위하여 NiO-YSZ 다공성 기판 위에 극성이 서로 다른 전착용액을 사용하여 안정화 지르코니아 균일막 형성을 위한 전착조건과 막특성을 조사하였다. 알콜계 용액과는 달리 수계 용액에서 정전류, 0.138mA/$ extrm{cm}^2$이상에서 전극반응으로 생성한 기포에 의한 막결함이 생성하였으며 막무게 증가율이 감소하였다. 균일막 형성은 알콜계 용액에서 전극반응없이 안정한 전압특성을 보이는 정전류 0.035 mA/$ extrm{cm}^2$를 10초간 인가하였을 때 얻어졌다.

기타언어초록

An yttria-stabilized zirconia(YSZ) thin film on a porous NiO-YSZ substrate for an anode support type solid oxide fuel cell(SOFC) was prepared by an electrophoretic deposition(EPD). Deposition condition and film properties in order to obtain the homogeneous YSZ thin film from the EPD solution with different polarity were studied. In different case of alcohol solution, hydrogen gas was produced in aqueous solution from the electrolyte reaction under constant current above 0.138 mA /$ extrm{cm}^2$.Its reaction generated the bubble-formed defect in the deposited film and decreased weight of the film. The homogeneous YSZ thin film was formed in alcohol solution at a constant current, 0.035 mA /$ extrm{cm}^2$ for 10 s.