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Pt 코팅된 Si 기판에 제조한 KLN 박막의 구조적 특성
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  • Pt 코팅된 Si 기판에 제조한 KLN 박막의 구조적 특성
저자명
박성근,이기직,백민수,전병억,김진수,남기홍
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2001년|14권 5호|pp.410-416 (7 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

KLN thin films were fabricated on Pt coated Si(100) wafer using an rf-magnetron sputtering method. The grown KLN thin film consists of 4-fold grains. In this experiment, the structure of 4-fold grained thin film was investigated using XRD and SEM measurements. Pt layer was also deposited using the rf-magnetron sputtering method,. XRD measurement showed that he Pt thin film has Gaussian distribution form with strong (111) direction orientation. The KLN thin film has preferred-orientation of (001) direction, and the peak consists of 2 separate peaks; one with broad FWHM and the other with narrow FWHM. The sharp peak is due to single crystal, and combining with Em results, the 4-fold grain consists of singel crystals with c-axis normal to substrate.