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광통신 모듈용 분포 귀환형 InGaAsP/InP 레이저 다이오드 제작 및 소자 특성평가
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  • 광통신 모듈용 분포 귀환형 InGaAsP/InP 레이저 다이오드 제작 및 소자 특성평가
  • Fabrication process and device characterization of distributed feedback InGaAsP/InP laser diodes for optical fiber communication module
저자명
전경남,김근주,Jeon. Kyung-Nam,Kim. Keun-Joo
간행물명
반도체디스플레이기술학회지
권/호정보
2011년|10권 4호|pp.131-138 (8 pages)
발행정보
한국반도체디스플레이기술학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

We fabricated distributed feedback InGaAsP/InP laser diodes for optical fiber communication module and characterized the lasing properties in continuous wave operation. The active layer of 7-period InGaAsP(1.127 eV)/InGaAsP(0.954 eV) multi-quantum well structure was grown by the metal-organic chemical vapor deposition. The grating for waveguide was also fabricated by the implementation of the Mach-Zehender holographic method of two laser beams interference of He- Cd laser and the fabricated laser diode has the dimension of the laser length of $400{mu}m$ and the ridge width of $1.2{mu}m$. The laser diode shows the threshold current of 3.59 mA, the threshold voltage of 1.059 V. For the room-temperature operation with the current of 13.54 mA and the voltage of 1.12 V, the peak wavelength is about 1309.70 nm and optical power is 13.254 mW.