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플라즈마 기상 화학 증착법을 이용한 탄소나노튜브의 선택적 수직성장 기술
방윤영, 장원석, Bang. Yun-Young, Chang. Won-Seok 한국정밀공학회 한국정밀공학회지 8 Pages
한국정밀공학회 한국정밀공학회지 2007, Vol.24 No.6 113-120 (8 pages)
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플라즈마 화학 기상 증착법을 이용한 탄소나노튜브의 성장 분석 및 전계방출 특성
오정근, 주병권, 김남수 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2003, Vol.16 No.12 1248-1254 (7 pages)
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플라즈마 화학 기상 증착법에서 DC bias가 인가된 탄소나노튜브의 수직성장과 전계방출 특성
정성회, 김광식, 장건익, 류호진 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2002, Vol.15 No.4 367-372 (6 pages)
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플라즈마 화학 기상 증착법으로 제작된 Diamond-Like Carbon 박막의 특성
김종탁 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 1998, Vol.11 No.6 465-471 (7 pages)
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플라즈마 보조 유기금속 화학기상 증착법에 의한 MCN(M=Ti, Hf) 코팅막의 저온성장과 그들의 특성연구
부진효, 허철호, 조용기, 윤주선, 한전건, Boo. Jin-Hyo, Heo. Cheol-Ho, Cho. Yong-Ki, Yoon. Joo-Sun, Han. Jeon-G. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 13 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2006, Vol.15 No.6 563-575 (13 pages)
DC 플라즈마 보조 유기금속 화학기상 증착법 (PEMOCVD)으로 합성하였다. 본 연구에서는 플라즈마 특성을 서로 비교하기 위하여 수소$(N_2)$와 헬륨/수소$(He/H_2)$ 혼합기체를 각각 운반기체로 사용하였으며 전구체 이외에 질소$(N_2)$와 암모니아$(NH_3)$ 기체를 반응기체로 사용하여 서로 다른 플라즈마 화학조건에서 얻어지는 박막내의 탄소함유량(C Content)의 변화를 비교하여 탄소가 가장 적게 함유된 저온 코팅막 합성공정을 찾으려고 하였다. 이를 위하여 증착시 서로 다른 pulsed bias 전압과 기체종류 하에서 여기된 플라즈마... -
마이크로파 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)과 저압 화학기상증착법(LPCVD)을 이 용한 실리콘 기판 위에서의 텅스텐 박막증착
김성훈, 송세안, 김성근 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1992, Vol.1 No.2 277-285 (9 pages)
플라즈마 화학기상증착법과 저압 화학기상증착법을 사용하여 실리콘 기판 위에 텅 스텐 박막을 증착하였다. 반응기체로 WF6를 사용하였으며 환원기체로는 SiH4를 사용하였다. 플라즈마 증착법에 의한 텅스텐 박막의 성장은 환원기체의 유무에 상관없이 주로 기상 반응 에 의한 텅스텐 덩어리들의 증착에 의하여 이루어졌으며 비교적 균일도가 낮은 박막표면을 이루었다. 저압 화학증착법의 경우 환원기체를 사용하지 않았을 때에는 실리콘 기판에 의한 제한된 환원반응에 의해 텅스텐이 증착되었으나, 환원기체를 사용했을 때에는... -
플라즈마 화학기상 증착법에 의해 증착된 B이 첨가된 ZnO 박막의 전기적 특성
최준영, 조해석, 김영진, 이용의, 김형준 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1995, Vol.4 No.1 85-90 (6 pages)
본 연구에서는 투명 전극으로의 응용을 목적으로 PECVD법에 의해 증착된 B이 첨가된 ZnO 박막의 전기 및 광학적 특성을 살펴보았다. B을 첨가하지 않은 ZnO 박막은 비저항이 수 $Omega$-cm 정도의 값을 가지고 있었으며 시간에 따른 비저항의 변화가 컸으나, 2% B2H6을 5-16sccm의 유량범위에서 첨가한 경우에는 5-9X10-2 $Omega$-cm의 비저항을 가지고 시간 경과에 따른 비저항의 변화가 아주 작은 ZnO 박막을 얻을 수 있었다. Van der Pauw법에 의한 Hall 계수의 측정 결과에 의하면, B을 첨가하지 않은 ZnO 박막의 전자 농도는... -
플라즈마 화학기상 증착방식으로 성장시킨 비정질 실리콘 카바이드 박막의 열처리 효과에 관한 특성분석
박문기, 김용탁, 최원석, 윤대호, 홍병유 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2000, Vol.13 No.10 817-821 (5 pages)
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유도결합 플라즈마 화학기상증착법에 의해 활성화된 탄소원자를 이용한 Ni/SiO2/Si 기판에서 그래핀 성장
람반낭, 김의태, Nang. Lam Van, Kim. Eui-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2013, Vol.23 No.1 47-52 (6 pages)
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유도결합 플라즈마 화학기상증착법을 이용한 Ni/SiO2/Si 기판에서 그라핀 제조
박영수, 허훈회, 김의태, Park. Young-Soo, Huh. Hoon-Hoe, Kim. Eui-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2009, Vol.19 No.10 522-526 (5 pages)
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원거리 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 증착한 비정질 탄화규소 막의 증착조건에 따른 특성 및 증착 균일도 변화
조성혁, 최유열, 최두진, Cho. Sung-Hyuk, Choi. Yoo-Youl, Choi. Doo-Jin 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 6 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2010, Vol.47 No.3 262-267 (6 pages)
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ECR 플라즈마 화학기상증착법에 의한 0.12nm $ extrm{SiO}_2$ 환산두계를 갖는 Pb(Zr, Ti)$ extrm{O}_3$유전박막의제조
김재환, 김용일, 위당문, 이원종, Kim. Jae-Hwan, Kim. Yong-Il, Wi. Dang-Mun, Lee. Won-Jong 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.8 635-639 (5 pages)
PZT 박막을 증착하였다. 기판 온도가 46$0^{circ}C$ 이하일 경우에는 페로브스이트 상과 제2상으로 이루어진 박막이 성장하였으며 기판온도가 47$0^{circ}C$이상일 때에는 페로브스카이트 단일상의 PZT 박막이 성장하였다. 49$0^{circ}C$에서 매우 얇은 페로브스카이트의 PZT 박막을 증착한 후 $650^{circ}C$에서 1분간 raped thermal annealing(RTA) 처리한 결과 박막의 조성과 결정성에는 거의 변화가 없었으나 박막의 전하 저장 밀도는 크게 향상되었다. 이는 RTA 처리에 의한 저유전 계면층의 소멸이 주된 이유라고 판단된다. 열처리... -
플라즈마 화학기상증착에 의해 성장된 유사 다이아몬드 나노복합체 박막의 특성 평가
양원재, 오근호 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2003, Vol.13 No.1 36-40 (5 pages)
$CH_4/(C_2H_5O)_4Si/H_2$/Ar가스 혼합물을 출발 반응원료로 하여 플라즈마 화학기상증착법으로 Si 기판 위에 유사 다이아몬드 나노복합체(diamond-like nanocomposite, DLN) 박막을 증착하였다. 성장된 막의 화학구조와 미세구조를 확인하였으며 막의 마모특성을 평가하였다. 증착된 DLN 막은 다이아몬드와 유사한 a-C:H 구조와 실리카와 유사한 a-Si:O 구조가 네트워크 형태로 구성되어 있음을 확인하였으며 극도로 낮은 마모계수와 마모속도를 나타내어 내마모 코팅용 보호막으로 의 응용에 적합한 것으로 나타났다. -
플라즈마 화학기상증착법으로 성장시킨 수소화 비정질 규소박막의 결정화
김용탁, 장건익, 홍병유, 서수정, 윤대호 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2001, Vol.11 No.2 56-59 (4 pages)
증착된 비정질 실리콘 박막은 Si(100)웨이퍼와 유리에 각각 증착되었다. 본 연구에서는 RF power가 미세결정 실리콘 박막의 광학적 밴드갭($E_g$),투과도 그리고 결정성에 미치는 영향을 조사하였다 라만 분광분석 결과 미세결정 실리콘은 480과 520$cm^{-1}$에서 두개의 피크 즉, 비정질과 미세결정의 혼상으로 구성되어 있음을 확인할 수 있었고 XRD분석에서도 (111)방향의 피크가 RF power 300Ｗ에서 관찰되었다. 또한, 박막의 투과도는 자외/가시부 분광 광도계를 이용하였으며, 적외 흡광 스펙트럼을 사용하여 실리콘과 결합하고... -
마이크로웨이브 플라즈마 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브의 성장특성
최성헌, 이재형, Choi. Sung-Hun, Lee. Jae-Hyeoung 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2006, Vol.19 No.6 501-506 (6 pages)
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유도결합형 플라즈마 화학기상증착법에서 탄소나노튜브의 수직성장과 전계방출 특성 향상 연구
김광식, 류호진, 장건익 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2002, Vol.15 No.8 713-719 (7 pages)
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플라즈마 화학기상증착법으로 성장시킨 탄소나노튜브의 미세구조 분석
윤종성, 윤존도, 박종봉, 박경수, Yoon. Jongsung, Yun. Jondo, Park. Jongbong, Park. Kyeongsu 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2005, Vol.15 No.4 246-251 (6 pages)
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마이크로파 플라즈마 화학기상증착법에 의한 HOD 박막 성장
이광만, 최치규 한국반도체및디스플레이장비학회 반도체및디스플레이장비학회지 6 Pages
한국반도체및디스플레이장비학회 반도체및디스플레이장비학회지 2004, Vol.3 No.3 45-50 (6 pages)
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As 이온 주입된 비정질 탄소 박막의 마이크로플라즈마 화학기상증착법에 의한 자동 어닐링 효과에 관한 연구
조의식, 권상직, Cho. E.S., Kwon. S.J. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2013, Vol.22 No.1 31-36 (6 pages)
마이크로플라즈마 화학기상증착법(microwave plasma enhanced chemical vapor deposition, MPCVD)에 의하여 형성된 비정질 탄소 박막의 효율적인 도핑 공정을 위하여, 비정질 탄소 박막의 성장 직전 nucleated seed 상태의 기판 혹은 일부 성장된 박막 위에 비소(As) 이온을 이온 주입하였고 그 직후 다시 MPCVD에 의하여 박막을 성장시켰다. MPCVD에 의한 성장 자체가 약 $500{sim}600^{circ}C$ 온도에서의 어닐링 공정을 대체할 수 있으므로, 기존의 이온 주입 후 별도의 어닐링 공정과 비교 시 간략화된 공정으로도 어닐링 효과가... -
전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학적 기상 증착 장치에서의 수소플라즈마 특성연구
김우준, 구자춘, 황기웅 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1994, Vol.3 No.3 331-336 (6 pages)
chemical vapor deposition (ECRPCVD) 장치에서 공정변 수에 따른 수소플라즈마 특성을 조사하였다. 균일한 플라즈마 밀도를 얻기 위하여 전자공명층이 기판과 평행하게 형성되도록 정자장 코일을 설계하였으며 기판근처에 부가적으로 형성된 multicusp field 에의 해서 기판 근처에서의 플라즈마 균일도를 개선시킬수 있었다. 또한 절연된 공진실과 기판에의 독립적인 DC bias에 의해서 기판으로 입사하는 하전입자들이 에너지와 유량을 조잘할 수 있었다. 이러한플라즈마 특성을 갖는 ECRPCVD장치를 다양한 특성을 갖는 박막 합성에... -
플라즈마 화학증착법으로 제조된 수소화된 비정질 탄화실리콘 박막의 물성에 대한 붕소의 도핑효과
김현철, 이재신 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2001, Vol.10 No.1 104-111 (8 pages)
$SiH_4$, $CH_4$, $B_2H_6$ 혼합기체를 이용하여 플라즈마 화학증착법으로 비정질 탄화실리콘(a-SiC:H) 박막을 증착하였다. 기상 doping 농도를 0에서 $2.5 imes10^{-2}$ 범위에서 변화시켜 얻은 박막의 물성을 SEM, XRD, Raman 분광법, FTIR, SIMS, 광흡수도와 전기전도도 분석을 통하여 살펴보았다. $B_2H_6$/($CH_4+SiH_4$) 기체유량비가 증가할수록 붕소의 도핑효율와 미세결정성은 감소하였다. 증착 중 $B_2H_6$ 기체가 첨가됨에 따라 비정질 탄화실리콘 박막의 Si-C-H 결합기의 강도는 감소하였으며, 이의 영향으로 박막내의... -
원거리 플라즈마 화학증착에 의한 실리콘 산화막의 물성
강진규, 박영배, 이시우 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1994, Vol.3 No.4 426-433 (8 pages)
원거리 플라즈마 화학증착 반응기에서 SiH4-N2O 로부터 산화막을 증착하고 막의 화학적 조성, 구조, 전기적인 특성 등을 평가하였다. 증착온도는 실온에서 35$0^{circ}C$사이의 저온이었다. 증착온도, 플라즈 마 전력, 반응기체의 조성 등이 막의 물성에 영향을 주는 것으로 나타났으며 나아가서는 산화막과 규소 -산화막 계면의 전기적인 특성에도 영향을 주었다. 높은 전력 및 SiH4-N2O 비에서 막의 물성이 나빠지 는 것으로 나타났으며 이 경우 막의 불순물 함량이 높고 또한 기상에서 입자가 형성되는 것이 관찰되었 -
furnace 열처리와 질소 플라즈마 처리에 의한 유기화학증착법을 이용한 선택적 구리 증착
곽성관, 정관수, Gwak. Seong-Gwan, Jeong. Gwan-Su 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2000, Vol.37 No.3 27-33 (7 pages)
위해서 BPSG(Borophosphosilicate glass) 위에 형성한 TiN 패턴을 로(furnace) 열처리와 질소 플라즈마 처리를 한 후 유기 화학 기상 증착법(MOCVD； Metal Organic Chemical Vapor Deposition)으로 구리 박막을 증착하였다. 먼저 650℃∼750℃에서 열처리한 후 150℃에서 구리 박막을 증착시켰을 때 750℃에서 열처리한 경우 TiN 표면 위에만 선택적으로 구리 증착이 일어났다. 질소 플라즈마 처리를 한 경우도 마찬가지로 BPSG 위에 구리 핵 형성이 억제됨을 알 수 있었다. 플라즈마 처리 온도를 증가시킬수록 BPSG 위의 구리 핵 형성이... -
RF 헬리콘 플라즈마를 이용한 회학기상 증착기의 제작
신재균, 현준원, 박상규 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 1998, Vol.11 No.8 607-612 (6 pages)
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마이크로웨이브 플리즈마 화학기상증착에 의한 다이아몬드 박막의 성장 관찰을 위한 분광 Ellipsometry의 이용
홍병유 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 9 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1998, Vol.8 No.2 240-248 (9 pages)
의한 방법이다. 특히 플라즈마 화학기상증착(Plasma-Enhanced CVD)기술에 의한 다이아몬드 박막응용은 그 공정에 대한 세부 조정을 통하여 더욱 향상시킬 수 있다. 다이아몬드 박막증착의 경우 중요 변수들은 다이아몬드 필름이 증착되는 기판(substrate)의 온도, $CH_4/H_2$가스비율, 전체가스 압력 및 가스 excitation에너지 등이다. 분광 ellipsometry는 다이아몬드 필름 증착과 관련된 극단적인 환경에서도 물리적인 접촉이나 만들어지는 샘플의 손상없이도 필름자체의 여러 성질뿐만 아니라 기초 샘플의 온도까지도 결정할 수 있는... -
$RuO_2$ 및 Pt 기판에서 $PbTiO_3$박막의 화학기상 증착특성에 관한 연구
정수옥, 이원종, Jeong. Su-Ok, Lee. Won-Jong 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2000, Vol.10 No.4 282-289 (8 pages)
전자싸이클로트론공명-플라즈마 화학기상증착법으로 $PbTiO_3$박막을 증착하였다. $RuO_2$ 기판과 Pt 기판 위에 금속유기화합물 원료기체 유량 및 증착온도에 따라서 $PbTiO_3$박막의 증착특성을 연구하였다. $RuO_2$ 기판 위에서 Pt 기판에 비하여 Pb-oxide 분자의 잔류시간이 상대적으로 크고, 페로브스카이트 핵생성 밀도는 상대적으로 작으며, 단일한 페로브스카이트 상의 $PbTiO_3$ 박막을 얻을 수 있는 공정범위가 Pt 기판보다 좁았다. $PbTiO_3$ 박막 증착 전 Ti-oxide 씨앗층을 도입함으로써 $RuO_2$ 기판에서도 페로브스카이트... -
Hot-filament 화학기상 증착법에 의한 탄소나노튜브의 성장 및 표면 특성
최은창, 김정태, 박용섭, 최원석, 홍병유, Choi. Eun-Chang, Kim. Jung-Tae, Park. Yong-Seob, Choi. Won-Seok, Hong. Byung-You 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2007, Vol.16 No.3 187-191 (5 pages)
실리콘 웨이퍼 위에 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여 Ni 촉매 층을 증착시키고, $NH_3$와 $C_2H_2$ gas를 이용하여 탄소나노튜브를 성장시켰다. Hot-filament 플라즈마 화학기상 증착법으로 탄소나노튜브의 성장 온도는 350, 450, 550, $650^{circ}C$로 변화시켰으며, 성장되어진 탄소나노튜브는 field emission scanning electron microscope(FESEM) 분석을 하여 관찰하였고, 접촉각 측정법을 이용하여 탄소나노튜브 층의 특성을 분석하였다. 결과적으로 성장 온도는 탄소나노튜브의 성장 특성을 변화시키는 중요한 요소이다. -
화학기상증착 진공공정의 실시간 진단연구
전기문, 신재수, 임성규, 박상현, 강병구, 윤진욱, 윤주영, 신용현, 강상우, Jeon. Ki-Moon, Shin. Jae-Soo, Lim. Sung-Kyu, Park. Sang-Hyun, Kang. Byoung-Koo, Yune. Jin-Uk, Yun. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.2 86-92 (7 pages)
한 센서인 self-plasma optical emission spectroscopy (SPOES)를 이용해 화학기상증착 진공공정을 진단하였다. 본 연구에서 사용된 증착공정 장비는 silane 가스를 이용한 silicon plasma enhanced chemical vapor deposition과 borophosphosilicate glass 증착장비이다. 두 장비의 증착 또는 클리닝 조건에서의 배출되는 오염입자와 배기가스를 개발된 센서를 이용해 공정상태를 실시간으로 진단하는 것과 개발된 센서의 센싱 능력을 검증하고자 하는 목적으로 연구가 진행되었다. 개발된 센서는 장비 배기구 설치되었으며, 공정압력,... -
촉매 화학기상증착법을 이용한 탄소나노튜브의 합성 및 특성 연구
윤형석, 류호진, 조태환, 장호정, 김정식, 이내성 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 6 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2001, Vol.8 No.1 13-18 (6 pages)
본 연구에서 RF 플라즈마를 이용한 촉매 화학기상증착법에 의하여 탄소나노튜브를 성장시켰다. 탄소나노튜브는 Ni이 증착된 강화 유리 기판위에 $600^{circ}C$ 이하의 공정 온도에서 성장되었으며, 성장시 성장 온도와 에칭 시간 그리고 Ni 층의 두메에 따라 탄소나노튜브 성장 특성이 다양하게 나타났다. Ni이 증착된 강화 유리기판위에 탄소나노튜브를 성장시키기 위하여 에칭 가스로는 $H_2$와 $NH_3$가스를 사용하였고, 탄소 원료로 $C_2H_2$가스를 사용하였다. 수직 배향된 탄소나노튜브의 직경과 길이는 약 150 nm와 3 $mu... -
RF 플라즈마 CVD법에 의한 다이아몬드 박막의 합성
이상희, 이덕출 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 1998, Vol.11 No.7 552-556 (5 pages)
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플라즈마 폴리머의 물리적, 전기적 특성에서 다이아몬드상 탄소 패시베시션이 미치는 영향
박용섭, 조상진, 부진효, Park. Y.S., Cho. S.J., Boo. J.H. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2012, Vol.21 No.4 193-198 (6 pages)
플라즈마화학기상증착 장치를 이용하여 플라즈마 폴리머와 다이아몬드상 탄소(diamond-like carbon, DLC) 박막을 합성하였다. 플라즈마 폴리머 박막 위에 패시베이션 층으로 DLC 박막을 두께에 따라 합성하였고, DLC/플라즈마 폴리머 박막의 구조적, 물리적, 전기적 특성들을 고찰하였다. 기존 플라즈마 폴리머는 누설 전류 특성이 좋고 낮은 유전상수 값을 가지고 있다. 그러나 실제 반도체 공정에 적용되기 위해서는 물리적 특성도 만족되어야 하기 때문에 플라즈마 폴리머 박막 위에 DLC 패시베이션을 적용하여 플라즈마 폴리머의... -
$N_2O$ 플라즈마 열처리에 의한 저유전율 SiOF 박막의 물성 안정화
김윤해, 이석규, 김선우, 김형준, Kim. Yoon-Hae, Lee. Seok-Kiu, Kim. Sun-Oo, Kim. Hyeong-Joon 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.4 317-322 (6 pages)
플라즈마 화학기상증착법에 의해 증착된 저유전율 SiOF박막의 물성 안정화를 위하여 증착후 $N_2O$플라즈마로 열처리함으로써 그 특성을 평가하였다. SiOF박막은 대기방치 및 열처리에 불안정한 성질을 가진다. SiOF 박막은 박막내의 F-Si-F 결합의 존재 때문에 흡습현상이 발생하며, 박막내의 F함량이 증가함에 따라 수분 흡수가 증가한다. 또한 열처리를 거치면서 F이 탈착되어 박막내의 F함량이 감소한다. $N_2O$플라즈마 열처리는 표면에 얇은 SiON층을 형성시킴으로써 박막을 안정화시키는데 효과적이었다. 그러나 장시간의 N/sun... -
전해응집법에 의한 불화수소 함유 워터젯 플라즈마 폐수처리
이채홍, 전영남, Lee. Chae Hong, Chun. Young Nam 대한환경공학회 대한환경공학회지 7 Pages
대한환경공학회 대한환경공학회지 2012, Vol.34 No.10 702-708 (7 pages)
사불화탄소($CF_4$)는 반도체 제조공정에서 에칭과 화학기상증착(CVD)에서 사용되어온 가스이다. $CF_4$는 적외선을 강하게 흡수하고 대기 중 잔류시간이 길어서 지구온난화에 영향을 미치기 때문에 고효율의 분해가 필요하다. 또한 불화수소를 포함한 폐수는 지하수 오염의 원인이 된다. 과도한 불소를 포함한 물을 장기간 섭취는 치아와 뼈에 문제를 야기한다. 워터젯 플라즈마를 이용하여 $CF_4$를 분해 후 생성되는 부산물 중 HF에 의하여 폐수가 생성된다. 이 폐수를 알루미늄 전극을 사용한 전해응집을 이용하여 폐수 중 HF를 제거... -
고주파 유도결합 열플라즈마를 이용한 다중벽 탄소나노튜브 합성
남준석, 서준호 한국열환경공학회 열환경공학 8 Pages
한국열환경공학회 열환경공학 2012, 제 9권 1호 2 9-16 (8 pages)
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산소플라즈마와 급속열처리에 의해 제조된 티타니아 박막의 휴믹산 제거
장준원, 박재우, Jang. Jun-Won, Park. Jae-Woo 한국지하수토양환경학회 지하수토양환경 7 Pages
한국지하수토양환경학회 지하수토양환경 2007, Vol.12 No.3 29-35 (7 pages)
플라즈마로 티타늄을 산화하고 급속열처리하여 티타니아 광촉매 박막을 제조하고 휴믹산 제거실험을 수행하였다. 플라즈마 화학기상증착장치에서의 산소플라즈마는 티타늄 표면을 산화시킴으로써 광촉매 피막을 생성하게 된다. 증착조건에서 RF power는 최대 500 W 이하에서 100 W, 150 W, 300 W, 처리시간은 5분, 10분에서 조절되었다. 박막의 특성은 XPS와 XRD로 측정하였다. 실험으로서 우리는 박막이 높은 성능을 나타내는 최적을 조건을 찾았다. 또한 제조된 박막의 경우 기존 Thermal spray Titania film에 비해 2배정도 우수하였고... -
PECVD법으로 구리 막 위에 증착된 실리콘 박막의 이차전지 음전극으로서의 전기화학적 특성
심흥택, 전법주, 변동진, 이중기, Shim. Heung-Taek, Jeon. Bup-Ju, Byun. Dongjin, Lee. Joong Kee 한국전기화학회 전기화학회지 6 Pages
한국전기화학회 전기화학회지 2004, Vol.7 No.4 173-178 (6 pages)
플라즈마 화학 기상 증착법으로 구리 막$(foil,;35{mu}m)$표면 위에 $SiH_4$와 Ar혼합가스를 공급하여 실리콘 박막을 증착 한 후 리튬 이온전지의 음극으로 활용하였다. 증착 온도에 따라 비정질 실리콘 박막과 copper silicide박막 형태의 다른 두 종류의 실리콘 박막 구조가 형성되는 것이 관찰되었다. $200^{circ}C$ 이하의 온도에서는 비정질 실리콘 박막이 증착되었고, $400^{circ}C$ 이상의 온도에서는 실리콘 라디칼과 확산된 구리 이온의 반응에 의한 그래뉼러 형태의 copper silicide박막이 형성되었다. 비정질 실리콘 박막은... -
유도 열플라즈마를 이용한 카본나노시트 합성
이승용, 고상민, 구상만, 황광택, 한규성, 김진호, Lee. Seung-Yong, Ko. Sang-Min, Koo. Sang-Man, Hwang. Kwang-Taek, Han. Kyu-Sung, Kim. Jin-Ho 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2014, Vol.24 No.5 207-212 (6 pages)
2차원 흑연구조를 갖는 카본나노시트는 큰 비표면적과 우수한 전기적, 화학적 및 기계적 물성으로 인하여 미래소재로 각광받고 있다. 경제적이고 쉬운 카본나노시트의 양산공정개발을 위해 본 연구에서는 메테인($CH_4$)과 프로페인($C_3H_8$) 가스를 이용한 유도 열플라즈마 공정을 통해 기상 합성하여 카본나노시트 분말을 합성하였다. 유도 열플라즈마를 이용한 카본나노시트 합성은 촉매나 증착공정 없이 진행되었으며, 합성된 카본나노시트의 물성을 TEM, Raman, XRD, BET로 분석하였다. 메테인과 프로페인으로부터 합성된 카본... -
산소플라즈마 에칭공정을 응용한 탄소나노튜브 Array 길이 제어 연구
송유진, 강성준, Song. Yoo-Jin, Kang. Seong-Jun 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.6 488-493 (6 pages)
있어, 탄소나노튜브의 전기적 특성을 결정짓는 길이와 직경을 제어하는 일은 매우 중요하다. 본 연구에서는 비교적 간단한 공정을 통하여 탄소나노튜브의 길이를 제어하는 기술을 개발 하였다. 기판에 평행하게 정렬된 탄소나노튜브 Array 박막을 열화학기상증착법을 이용하여 성장 시킨 후, 간단한 포토 리소그래피 공정과 산소 플라즈마 에칭 공정을 통하여 균일한 길이의 탄소나노튜브 Array를 기판위에 형성하였다. 본 연구를 통하여 개발된 균일한 길이의 고밀도 탄소나노튜브 Array는 대면적의 나노전자 소자뿐만 아니라, 태양전지,... -
HMDSO와 산소를 이용한 PECVD 증착 $SiO_xC_y$필름의 특성연구
김성룡, 이호영 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2001, Vol.10 No.2 182-188 (7 pages)
폴리카보네이트 시트의 내마모성을 향상시키기 위하여 HMDSO 모노머와 산소를 사용하여 플라즈마 기상증착시킨 $SiO_xC_y$ 필름의 특성을 분석하였다. RF출력, 산소투입량, 수소투입량을 변화시키면서 각 증착조건에 따른 생성된 필름의 화학결합구조, 원소조성, 표면조도, 헤이즈 특성에 미치는 영향을 FTIR, XPS, AFM, Hazemeter를 이용하여 알아보았다. HMDSO와 산소를 사용한 박막의 증착은 100 nm/min이상의 높은 증착속도를 가졌고,증착실험에서 얻은 증착필름의 원소조성을 XPS를 이용하여 구한 결과, 종전의 다른 유기실리콘계... -
저손실 광도파로 제작을 위해 PECVD 법에 의해 증착된 SiON/SiO2 다층박막
김용탁, 김동신, 윤대호 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2004, Vol.41 No.3 197-201 (5 pages)
플라즈마 화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 Si(100) 웨이퍼에 silicon oxide(SiO$_2$)와 silicon oxynitride(SiON) 후막을 SiH$_4$, $N_2$O, $N_2$가스를 혼합하여 증착하였다. RF power와 rf bias power의 변화에 따른 SiO$_2$ 막과 SiON 막의 특성변화에 대하여 고찰하였다. RF power와 rf bias power가 증가함에 따라 굴절률은 감소하는 경향을 나타내었으며, 막의 굴절률은 1552 nm에서 1.4493-1.4952까지 변화하였다. 이와 같이 rf power가 증가함에 따라 굴절률이 감소하는 이유는 oxygen의 량이 증가하고 nitrogen의 량이... -
PECVD법에 의해 증착된 SiO2 후막의 광학적 성질 및 구조적 분석
조성민, 김용탁, 서용곤, 윤형도, 임영민, 윤대호, Cho. Sung-Min, Kim. Yong-Tak, Seo. Yong-Gon, Yoon. Hyung-Do, Im. Young-Min, Yoon. Dae-Ho 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2002, Vol.39 No.5 479-483 (5 pages)
저온($320^{circ}$C)에서 $SiH_4$와 $N_2O$ 가스의 혼합을 통해 플라즈마화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 실리카 광도파로의 클래딩막으로 사용되는 $SiO_2$ 후막을 제조하였으며, 공정변수로는 $N_2O/SiH_4$ 유량비와 RF power에 변화를 주었다. 증착된 시편은 $N_2$ 분위기의 열처리로에서 $1050{circ}$에서 2시간동안 열처리하였다. $N_2O/SiH_4$ 유량비가 증가함에 따라 증착속도는 $9.4~2.9{mu}m /h$까지 감소하였으며, RF power가 증가함에 따라 증착속도는 $4.7~6.9{mu}m /h$까지 증가하였다. 두께 및 굴절률은 Prism Coupler를... -
PECVD법에 의해 증착된 $SiO_2$후막 특성에서 $N_2O$/$SiH_4$Flow Ratio와 RF Power가 미치는 영향
조성민, 김용탁, 서용곤, 임영민, 윤대호 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2001, Vol.38 No.11 1037-1041 (5 pages)
저온(32$0^{circ}C$)에서 SiH$_4$와 $N_2$O 가스의 혼합을 통해 플라즈마화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 실리카 광도파로의 클래딩막으로 사용되는 SiO$_2$후막을 제조하였다. 증착변수가 SiO$_2$후막의 특성에 미치는 영향을 살펴보기 위해 $N_2$O/SiH$_4$flow ratio와 RF power에 변화를 주었다. $N_2$O/SiH$_4$ flow ratio가 감소함에 따라 증착속도는 2.9 $mu extrm{m}$/h), 굴절률은 thermal oxide의 굴절률(n=1.46)에 근접하였다. -
SnO2 박막의 전기적 성질과 결함과의 관계
강종욱, 방태환, 정진 인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 8 Pages
인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 2017, 제 7권 제 8호 27 297-304 (8 pages)
RF 스퍼터 방법을 이용하여 산화주석 박막을 증착 하였다. 스퍼터 쳄버의 증착 온도는 300도로 고 정하고 외부에서 산소를 쳄버내로 흘려주어 실리콘(100) 기판위에 산소층을 만들었다. 쳄버내 파워의 세기를 100, 150, 200W 로 변화시켜서 각각의 SnO2박막을 만들었다. 증착된 산화주석 박막의 구조를 알아보기 위하여 X-선 회절장치를 이용하여 산화주석 박막을 분석하였다. X선 회절 결과에서 SnO2박 막은 공급된 파워의 세기가 증가되었을 때 박막의 주성장면인 (110)면, (211)면, (101)면등 모든 성장면 의 세기가 일정한 변화를... -
N2-H2S-H2O 혼합 가스 분위기에서 Cr 코팅한 Fe-18%Cr-12%Ni 강의 고온 부식거동 연구
김민정, 정석우, 황상연, 이동복 한국열환경공학회 열환경공학 9 Pages
한국열환경공학회 열환경공학 2020, 제 15권 1호 2 11-19 (9 pages)
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전자현미경에 의한 산화 아연 박막의 성장에 관한 연구
정진(Jin Jeong) 인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 8 Pages
인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 2018, 제 8권 제 7호 49 497-504 (8 pages)
진다. 박막의 생성은 온도조건, 증착시간, 유입되는 가스의 양, 그리고 박막을 만드는 공간의 진공상태가 입자의 형상을 각진 모습부터 둥근 형태등의 형상을 만들 수 있다. 본 연구에서는 스퍼터내 내부 환경을 변화시킨 후 실리콘 금속기판과 유리 기판위에 산화아연을 성장시켜서 박막의 입자 성장이 어떻게 변화되는가를 관찰 하였다. 성장된 박막은 전자 현미경을 통하여 관찰하였다. 전자현미경을 통해서 박막의 표면을 관찰한 결과 입자의 형상은 각진 모습, 원형모습, 입자들이 뭉쳐져 성장이 되는 다양한 모습등이 관찰 되었고,... -
금속 코팅된 탄소나노튜브의 전계 방출 특성 및 신뢰성 향상
우형수, 박상식, 김병환, Uh. H.S., Park. S., Kim. B. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.6 436-441 (6 pages)
Ni, 6% Co alloy) 촉매를 사용하여 $450^{circ}C$의 온도에서 플라즈마 화학기상 증착법으로 성장시켰다. 성장된 탄소나노튜브의 밀도 제어를 위해 성장 후 질소 플라즈마로 일부를 식각한 후 티타늄(Ti) 금속을 탄소나노튜브 표면에 5~150 nm 두께로 스퍼터링 증착하였다. 5 nm로 티타늄을 탄소나노튜브 표면에 코팅한 경우, 코팅 전에 비해 6 V/${mu}m$의 전계에서 전류밀도가 4배 이상 증가되었으며, 전계 방출 전류의 요동(fluctuation) 또한 40% 이상 감소됨을 확인할 수 있었다. 이는 티타늄의 일함수가 4.3 eV로 탄소나노튜브의 5... -
Very High Frequency Multi Hollow Cathode PECVD 장치의 수치모델링
주정훈, Joo. Jung-Hoon 한국진공학회 韓國眞空學會誌 10 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.5 331-340 (10 pages)
초고주파 다중 중공 음극 방전을 이용한 플라즈마 화학 기상 증착 장치를 3차원 수치 모델링하였다. 기본적인 방전 특성을 파악하기 위하여 알곤 플라즈마를 40 MHz, 100 V, 133.3 Pa (1 Torr)의 조건에 대해서 계산하였다. 6 mm 직경의 홀을 20 mm 간격으로 배열하였고 전극 간격은 10 mm를 가정하였다. 피크 플라즈마 밀도는 홀의 하부 중앙에서 $5{ imes}10^{11}#/cm^3$ 였으며 전자 온도는 접지 상태로 가정한 기판과 챔버 벽면 주위에서 가장 높았다. 준안정 상태에 의한 2단 이온화 속도는 전자 충돌에 의한 직접 이온화보다 10배... -
MPCVD를 이용하여 밀리미터 길이로 수직 정렬된 탄소나노튜브의 합성
김유석, 송우석, 이승엽, 최원철, 박종윤, Kim. Y.S., Song. W.S., Lee. S.Y., Choi. W.C., Park. C.Y. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.3 229-235 (7 pages)
본 연구에서는 철(Fe)을 촉매금속으로 사용하고 마이크로웨이브 플라즈마 화학기상증착법(microwave plasma CVD)을 이용하여 얇은 다중벽 탄소나노튜브를 합성하였다. 촉매금속으로 사용된 철은 직류 마그네트론 스퍼터를 사용하여 증착하였으며, 탄소나노튜브의 합성에는 플라즈마 공급원인 수소($H_2$), 탄소 공급원인 메탄($CH_4$)과 함께 미량의 산소($O_2$) 또는 아르곤(Ar)과 함께 물을 수증기의 형태로 사용하였다. 산소 또는 수증기의 추가에 따른 탄소나노튜브의 성장률의 변화를 주사전자현미경으로 조사하였으며, 결정구조를...
