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수소 가스 분율(H2/H2+SiH4)에 따른 비정질 실리콘 박막의 표면 및 구조 분석
권진업, Kwon. Jin-Up 한국표면공학회 한국표면공학회지 5 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2011, Vol.44 No.2 39-43 (5 pages)
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라만 분석을 통한 비정질 실리콘 박막의 고온 고상 결정화 거동
홍원의, 노재상, Hong. Won-Eui, Ro. Jae-Sang 한국표면공학회 한국표면공학회지 5 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2010, Vol.43 No.1 7-11 (5 pages)
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도판트가 주입된 비정질 실리콘 박막의 재결정화에 따른 전기적 성질의 비교
이만형, 최덕균, 김정태 한국표면공학회 한국표면공학회지 8 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 1993, Vol.26 No.3 127-134 (8 pages)
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옥외 설치된 비정질 실리콘 박막태양전지모듈의 전기적 출력 특성 분석
김경수, 강기환, 유권종, Kim. Kyung-Soo, Kang. Gi-Hwan, Yu. Gwon-Jong 한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 논문집 6 Pages
한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 논문집 2008, Vol.28 No.4 62-67 (6 pages)
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비정질 실리콘 태양전지의 p-a-SiC:H/i-a-Si:H 계면에 삽입된 P형 미세 결정 실리콘의 완충층 효과에 대한 수치 해석
이창현, 임굉수, Lee. Chang-Hyun, Lim. Koeng-Su 한국태양에너지학회 태양에너지 10 Pages
한국태양에너지학회 태양에너지 2000, Vol.20 No.1 11-20 (10 pages)
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비정질 실리콘 태양전지에서 TCO/p층 계면 특성의 영향
지일환, 서성택, 최병소, 홍성민, Ji. I.H., Suh. S.T., Choi. B.S., Hong. S.M. 한국태양에너지학회 태양에너지 6 Pages
한국태양에너지학회 태양에너지 1988, Vol.8 No.1 68-73 (6 pages)
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비정질 실리콘 태양전지의 Fill Factor에 관한 연구
이준호, 한민구, 이정한, Lee. June-Ho, Han. Min-Koo, Lee. Chung-Han 한국태양에너지학회 태양에너지 7 Pages
한국태양에너지학회 태양에너지 1987, Vol.7 No.1 35-41 (7 pages)
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광 입사각이 BIPV에 적용되는 단결정 또는 비정질 실리콘 태양전지의 양자효율에 미치는 영향
강정욱, 손찬희, 조광섭, 유진혁, 김정식, 박창균, 차성덕, 권기청, Kang. Jeong-Wook, Son. Chan-Hee, Cho. Guang-Sup, Yoo. Jin-Hyuk, Kim. Joung-Sik, Park. Chang-Kyun, Cha. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2012, Vol.21 No.1 62-68 (7 pages)
쓰이는 벌크형 단결정 실리콘 태양전지와 박막형 비정질 실리콘 태양전지의 입사각별 양자효율을 비교하였다. 그 결과, 단결정 실리콘 태양전지에서는 광 입사각이 증가함에 따라 전 파장영역에서 양자효율이 감소했다. 반면, 비정질 박막 실리콘 태양전지에서는 단파장 영역에서는 결정질 실리콘과 동일하게 감소하였으나, 그 이후의 흡수 영역에서 약 $40^{circ}$의 입사각까지 증가 또는 일정한 양자효율을 보이다가 이후에 급격히 감소하는 결과를 얻었다. 이는 비정질 박막 실리콘 태양전지에서 입사각이 증가함에 따라 특정 파장... -
주기적인 패턴 유리 기판을 사용한 비정질 실리콘 박막 태양전지의 효율 향상에 관한 연구
손찬희, 김경민, 김재호, 홍진, 권기청, Son. C.H., Kim. K.M., Kim. J.H., Hong. J., Kwon. G.C. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2012, Vol.21 No.1 55-61 (7 pages)
본 연구에서는 주기적인 3차원 패턴이 형성된 유리기판을 사용하여 비정질 실리콘 박막 태양전지를 제작하였다. 주기적인 패턴은 일반적인 전도성 투명 산화막(TCO: Trasparent Conductive Oxide) 표면의 불규칙 패턴과 비교하여 더 효율적인 광포획을 가능하게 한다. 태양전지 제작 전 광특성 전산모사를 통하여 주기적인 패턴 유리 기판의 광학적 특성을 알아보았다. 비정질 실리콘 박막 태양전지의 제작은 PECVD를 이용하여 구면 패턴이 형성된 유리기판을 이용하여 제작되었으며, 인공 태양광 조사장치를 이용하여 제작된 태양전지의... -
AMFC system에서의 비정질 실리콘 박막의 결정화 특성
강구현, 이승재, 김선호, 이수경, 남승의, 김형준, Kang. Ku Hyun, Lee. Seung Jae, Kim. Sun Ho, Lee. Sue Kyeong, Nam. Seung Eui, Kim. Hyoung June 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2005, Vol.14 No.1 24-28 (5 pages)
a-Si을 poly-Si으로 결정화하는 전형적인 방법으로는 고상결정화(Solid Phase Crystallization, SPC)가 있다[1-3]. 고상결정화는 균일한 공정특성과 생산비가 저렴하다는 장점이 있으나, 고상결정화 공정에서 높은 공정온도와 긴 공정 시간은 유리 기판의 손상으로 인해 적용되기 어렵다. 본 논문에서는 고상결정화의 저온공정과 짧은 공정시간을 위해 교번자장결정화(Alternating Magnetic Field Crystallization, AMFC) 시스템 내에서 결정화하는 동안 교번자장(Alternating Magnetic Field)을 적용하는 새로운 방법을 소개한다.... -
고진공 화학증착법으로 증착된 비정질 실리콘 박막의 저온 고상결정화에 관한 연구
이상도, 김형준 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1995, Vol.4 No.1 77-84 (8 pages)
LCD용 다결정 실리콘 TFT의 제조에 요구되는 고품위의 다결정 실리콘 박막을 60미만의 저온 공정으로 제조하는 기술로 비정질 박막의 고상 결정화(solid phase crystallization) 가 유망하다. 본 연구에서는 고진공 화학증착기를 이용하여 증착된 비정질 실리콘 막의 고상결정거동에 대해 연구하였다. 고상 결정화 속도 및 결정화 후의 결정성(결정립 크기 및 결함 밀도) 화학증착시의 증착가스의 종류(SiH4 혹은 Si2H6), 공정 압력, 증착 온도 등에 민감한 영향을 받으며 Si2H6가스의 사용, 증착 압력의 증가, 증착온도의 감소는 최종... -
평판 표시기용 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 전기적인 특성과 수학적인 모델
최창주, 이우선, 김병인 한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會誌 7 Pages
한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會誌 1994, Vol.8 No.5 49-55 (7 pages)
평판 디스플레이용 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 전기적인 특성과 수학적인 모델에 대하여 연구되었고 이론적인 모델은 실험을 통하여 그 타당성을 입증하였다. 게이트전압이 고정된 상태에서 드레인 전압 증가에 따른 드레인 포화전류는 증가되었고 디바이스의 포화는 드레인 전압이 증가될수록 더 증가되었으며 문턱전압은 감소되었다. 세 개의 변수로 구성된 디바이스의 전달특성과 출력특성에 대한 실험 결과값에 대한 모델식이 제시되었는데 이 모델은 디비이스의 기하학적인 구조를 간단화 하기위한 모델식이다. -
비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 광특성 분석을 위한 백라이트의 광자 에너지 스펙트럼에 대한 연구
정경서, 권상직, 조의식, Jeong. Kyung-Seo, Kwon. Sang-Jik, Cho. Eou-Sik 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2009, Vol.22 No.12 1058-1062 (5 pages)
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비정질 실리콘 TFT의 광누설 전류에 Backlight 광원의 광학적 특성이 미치는 영향에 대한 연구
임승혁, 권상직, 조의식, Im. Seung-Hyeok, Kwon. Sang-Jik, Cho. Eou-Sik 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 4 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2008, Vol.21 No.9 844-847 (4 pages)
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플라즈마 화학기상 증착방식으로 성장시킨 비정질 실리콘 카바이드 박막의 열처리 효과에 관한 특성분석
박문기, 김용탁, 최원석, 윤대호, 홍병유 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2000, Vol.13 No.10 817-821 (5 pages)
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비정질 실리콘 이미지 센서
류재일, 장진 한국전기전자재료학회 전기전자재료 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 2001, Vol.14 No.1 42-48 (7 pages)
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비정질 실리콘 박막 트랜지스터 액정디스플레이
장진, 원성환 한국전기전자재료학회 전기전자재료 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 2001, Vol.14 No.1 28-34 (7 pages)
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강유전체 표시기용 고전압 비정질 실리콘 박막트렌지서트의 온도변화 특성
이우선, 김남오, 이경섭 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 6 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1996, Vol.9 No.6 558-563 (6 pages)
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비정질 실리콘 박막 트랜지스터 히스테리시스 특성의 온도의존성
이우선, 오금곤, 장의구 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 7 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1996, Vol.9 No.3 277-283 (7 pages)
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광 CVD에 의한 비정질 실리콘 박막 특성 향상
김용상, 이성규, 전명철, 박진석, 한민구 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 6 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1994, Vol.7 No.2 94-99 (6 pages)
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비정질 실리콘 박막 트랜지스터 포화전압대 전류특성의 새로운 모델
이우선, 김병인, 양태환 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 5 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1993, Vol.6 No.2 147-151 (5 pages)
PECVD에 의해 Burried gate 비정질 실리콘 박막트랜지스터를 제작하여 포화 전압 대 전류 특성에 대하여 새로운 해석을 하였고 해석 결과는 실험적으로 증명되었다. 본 연구의 결과 실험된 전달특성과 출력특성을 모델화 하였는데 이 모델식은 I$_{D}$와 V$_{G}$의 실험결과에서 얻어지는 3가지 함수를 기본으로 모델화 되었다. 포화 드레인 전류는 V$_{G}$가 증가할수록 증가되었고 디바이스의 포화는 드레인 전압이 커질수록 증가되었으며 문턱전압은 감소됨을 보였다. -
실리콘 이종 접합 태양 전지 특성에 대한 ZnO:Al과 비정질 실리콘 계면 반응의 영향
강민구, 탁성주, 이종한, 김찬석, 정대영, 이정철, 윤경훈, 김동환, Kang. Min-Gu, Tark. Sung-Ju, Lee. Jong-Han, Kim. Chan-Seok, Jung. Dae-Young, Lee. Jung-Chul, Yoon. Kyu 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2011, Vol.21 No.2 120-124 (5 pages)
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Mesh-type PECVD를 이용한 DC-bias인가 및 수소가스 첨가에 따른 저수소화 비정질 실리콘 박막에 관한 연구
류세원, 권도현, 박성계, 남승의, 김형준, Ryu. Se-Won, Gwon. Do-Hyeon, Park. Seong-Gye, Nam. Seung-Ui, Kim. Hyeong-Jun 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2002, Vol.12 No.4 235-239 (5 pages)
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구리 흡착에 의한 비정질 실리콘 박막의 저온 결정화 거동
조성우, 손동균, 이재신, 안병태, Jo. Seong-U, Son. Dong-Gyun, Lee. Jae-Sin, An. Byeong-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.3 188-195 (8 pages)
비정질 실리콘 박막 위에 구리용액을 스콘코팅하여 구리이온을 흡착시킨 후 이를 표면 핵생성 site로 이용하는 새로운 저온 결정화 방법에 관하여 연구하였다. 구리 흡착으로 LPCVD비정질 실리콘 박막의 결정화온도를 $500^{circ}C$까지 낮출 수 있었고 결정화시간도 크게 단축되었다. $530-600^{circ}C$에서 어닐링시 구리가 흡착된 비정질 실리콘 막은 나뭇가지 형태의 fractal을 이루며 결정화되었다. 이때 fractal크기는 구리용액의 농도에 따라 $30-300{mu}m$로 성장하였다. Fractal의 내부는 새 털 모양의 타원형 결정립으로... -
급냉응고된 비정질 실리콘 분말의 원자구조에 관한 연구
김연옥, Kim. Yeon-Ok 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1994, Vol.4 No.6 644-650 (7 pages)
급냉응고장치를 이용하여 고순도 실리콘 미세분말을 제조하여 투과전자현미경으로 미세조직과 그 응고상을 조사한 결과 직경이 60nm 이하인 분말에서 비장질상이 발견되었다. 비정질 실리콘의 원자구조를 분석하기 위하여 비정질 분말에서 얻은 전자회절 데이타를 이용하여 radial distribution function을 계산하여 해석한 결과, 실리콘의 결정구조인 다이아몬드 입방격자에서 발견되는 기본적 정사면체 배열이 비정질 실리콘의 2번째 근접원자간 거기까지 유지됨을 알 수 있었으며 이로부터 비정질 실리ulcorner이 단범위 규칙성을 갖는... -
저온공정에 의한 자기이온주입된 비정질 실리콘 박막의 재결정화
이만형, 최덕균, 김정태, Lee. Man-Hyeong, Choe. Deok-Gyun, Kim. Jeong-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 11 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1992, Vol.2 No.6 417-427 (11 pages)
저압화학기상증착(LPCVD)법에 의해 비정질 실리콘 박막을 증착한 후, 자기 이온주입 (self-implantation)과 저온 열처리에 의해 결정화와 입자성장을 유도하였다. 그리고 여러가지 공정변수의 변화에 따른 결정화 양상을 관찰함으로써 최적의 물리적 성질 즉, 입자크기 및 분포를 갖는 공정조건을 도출하였다. 다결정 성장막의 균일성은 광학현미경 분석에 의존하였으며, 이를 위해 KOH : (IPA) : $H_2$O $K_2$C${r_2}{O_7}$, 에칭용액을 개발하였다. 비정질 박막의 결정화 양상에 있어서는 XRD와 TEM 분석결과 결정들이 (111) 우선방위를... -
비정질 실리콘 태양전지에서 투명전도막/p층 계면 특성분석
이지은, 이정철, 오병성, 송진수, 윤경훈, Lee. Ji-Eun, Lee. Jeong-Chul, O. Byung-Sung, Song. Jin-Soo, Yoon. Kyung-Hoon 한국신재생에너지학회 신재생에너지 6 Pages
한국신재생에너지학회 신재생에너지 2007, Vol.3 No.4 63-68 (6 pages)
유리를 기판으로 하는 superstrate pin 비정질 실리콘 태양전진에서 전면 투명전도막(TCO)과 p-층의 계면은 태양전지 변환효율에 큰 영향을 미친다. 면투명전도막(TCO)으로 현재 일반적으로 사용되는 ZnO:Al는 $SnO_2:F$보다 전기, 광학적으로 우수하고, 안개율 (Haze)높으며, 수소 플라즈마에서 안정성이 높은 특징을 갖고 있다. 그래서 박막 태양전지의 특성향상에 매우 유리하나, 태양전지로 제조했을 때, $SnO_2$보다 충진율(Fill Factor:F.F)과 $V_{oc}$가 감소한다는 단점을 가지고 있다. 본 실험실에서는 $SnO_2:F$dml F.F.가... -
ZnO:Al 투명전도막을 이용한 높은 개방전압을 갖는 비정질 실리콘 박막 태양전지 제조
이정철, 안세진, 윤재호, 송진수, 윤경훈, Lee. Jeeong-Chul, Ahn. Se-Hin, Yun. Jae-Ho, Song. Jin-Soo, Yoon. Kyung-Hoon 한국신재생에너지학회 신재생에너지 6 Pages
한국신재생에너지학회 신재생에너지 2006, Vol.2 No.3 31-36 (6 pages)
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영상센서를 위한 비정질 실리콘 박막트랜지스터의 제작 및 특성
김영진, 박욱동, 김기완, 최규만, Kim. Young-Jin, Park. Wug-Dong, Kim. Ki-Wan, Choi. Kyu-Man 한국센서학회 센서학회지 5 Pages
한국센서학회 센서학회지 1993, Vol.2 No.1 95-99 (5 pages)
영상 센서를 위한 비정질 실리콘 박막트랜지스터 (a-Si : HTFT)를 제작하고 그 동작 특성 을 조사하였다. 게이트 절연막으로는 비정질 실리콘 질화막(a-SiN : H)을 증착하였으며 소오스와 드레인 영역에서의 저항성 접합을 위해 $n^{+}$ 형 비정질 실리콘($n^{+}$-a-Si : H)을 증착하였다. 이 때 a-SiN : H막과 a-Si : H막의 두께는 각각 $2000{AA}$, $n^{+}$-a-Si : H막의 두께는 $500{AA}$이었다. 또한 a-Si : H TFT의 채널길이와 채널폭은 각각 $50{mu}m$와 $1000{mu}m$였다. 본 연구에서 제작한 a-Si : H TFT의 ON/OFF 전류비는... -
비정질 실리콘 산화물을 이용한 리튬망간실리콘산화물의 합성 및 전기화학적 특성 평가
진연호, 이근재, 강이승, 정항철, 홍현선, Jin. Yun-Ho, Lee. Kun-Jae, Kang. Lee-Seung, Jung. Hang-Chul, Hong. Hyun-Seon 한국분말야금학회 한국분말야금학회지 5 Pages
한국분말야금학회 한국분말야금학회지 2012, Vol.19 No.3 210-214 (5 pages)
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팩시밀리용 비정질 실리콘 광도전막의 제작 및 특성
김정섭, 오상광, 김기완, 이우일, Kim. Jeong-Seob, Oh. Sang-Kwang, Kim. Ki-Wan, Lee. Wu-Il 대한전자공학회 전자공학회논문지 9 Pages
대한전자공학회 전자공학회논문지 1989, Vol.26 No.6 48-56 (9 pages)
밀착형 1차원 영상감지소자로서 팩시밀리에 사용될 광도전막을 사일랜듸 글로방전 분해법으로 제작하였다. 우선 rf전력, 사일랜유량, 분위기 가스압, $H_2/SiH_4$비 및 기판온도의 증착조건에 따른 단층광전도막의 전기적 및 광학적특성을 조사하였다. 이 단층구조 영상감지막은 광전감도 0.85와 100lux 조도하에서 $I_{ph}/I_d=100$을 나타내었다. 그러나 이러한 단층박막은 양 전극으로 부터의 캐리어주입으로 인해 큰 암전류도 0.2nA 이하를 나타내었다. 또한 다층막은 단층막에 비해 단파장 가시광영역이 보상되어 팩시밀리용 1차원... -
보론 도우핑된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 열에 의한 준안정성 연구
이이상, 추혜용, 장진, Lee. Yi-Sang, Chu. Hye-Yong, Jang. Jin 대한전자공학회 전자공학회논문지 7 Pages
대한전자공학회 전자공학회논문지 1989, Vol.26 No.3 130-136 (7 pages)
보론이 도우핑된 수소화된 비정질 실리콘을 이용한 박막 트랜지스터를 플라즈마 CVD 방법으로 제작하여 트랜지스터의 특성 및 준안정성에 관한 연구를 수행하였다. 보론이 도우핑된 비정질 실리콘 ambipolar 트랜지스터를 열평형 온도 이상에서 급냉하면, active dopants가 증가하고 경계면 상태밀도가 감소하여 정공채널에 의한 드레인 전류가 증가하고 전자채널의 드레인 전류는 급냉 온도에 따라 증가하다 감소되는 현상을 측정하였다. 이런 급냉 효과는 실리콘내에 있는 수소의 운동과 밀접한 관계가 있고 active dopants, 댕글링...


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